低驱动电压的RF+MEMS开关的设计与模拟研究.pdfVIP

1672483 低驱动电压的RFMEMS开关的设计与模拟 摘要 RFMEMS开关与传统的半导体开关相比，具有低的插入损耗和能量损耗、 好的隔离度、更高的能量处理能力等优点。可广泛应用于防御和通讯系统的天 线和可调放大器，卫星通讯系统的开关网络。 低驱动电压的MEMS开关设计与模拟是本课题研究的主要内容。对电压加 在不同区域的两端固定梁的弹性系数进行推导，以确定所设计的开关电压是加 在两端固定梁的两端，并提出一种MEMS开关的结构。然后对这种结构的开关建 立模型，针对不同的开关参数进行静电祸合分析，设计出驱动电压为9V的电 阻式MEMS开关。 根据弹性力学中的最小势能原理建立膜式开关的力学模型，并提出六种不 同结构的膜式开关。然后对这六种结构的开关的弹性系数和驱动电压作理论上 的计算，再用ANSYS软件对这六种开关进行静电祸合分析和模态分析。结果表 明有四个支撑脚的两端固定开关的驱动电压比其它五种开关的驱动电压低、共 振频率高，所 以这种开关是比较理想的。再对开关的形状作进一步的改进，加 不同的电压，对这种改进后的开关进行多次的静电Mil合分析和模态分析，设计 出驱动电压为7V，共振频率为5.8kHz的电容式MEMS开关。 根据气体分子运动论和牛顿运动定律，对MEMS开关的阻力进行估算，阻 力为1.44X1ON,静电力为1.66X10-SN，阻力仅占静电力的8.7%，可忽略下 讯 魄目的研究将为MEMS射频开关的结构设计和力学分析提供很好的理论 基础和模拟结果，通过对MEMS射频开关的结构设计和性能模拟，选择合适的 开关结构，在此墓础上设计相关的工艺，为射频开关的制作和性能测试奠定基 础 。 关键词:RFMEMS开关，弹性系数，低驱动龟压，静电藕合分析，阻力估算 TheDesignandSimulationofRFMEMS Sw itches Abstract RFMEMSswitchesofferasubstantiallyhigherperformancethanp-i-nor field-effecttransistordiodeswitches.RFMEMSapplicationareasareinphase andconfigusableaperturesfordefenseandtelecommunicationsystems, switchingnetworksforsatellitecommunication,andsingle-poleN-throwswitches forwirelessapplications. ThedesignandsimulationoftheRFMEMSswitcheswithlowpull-down voltagesarethemaincontentofthisthesis.WedesignthecontactRFMEMS switches.WefirstputforwardastructureofthecontactRFMEMSswitchesand createthemodel.Thenweperform theelectrostaticanalysiswithdifferent parametersanddesignthecontactRFMEMSswitcheswithpull-downvoltagesas lowas9V. WedesignthecapacitiveRFMEMSswitcheswiththepull-downvoltagesof 7VWefirstputforwardsixkindsoffilmswitcheswithdifferentstructuresand calculatetheeffectivestiffnessconstantandpull-downvoltages.Thenweperform theelectrostaticanalysisandmodalsimulation,concludingtheswitcheswithfour connectingbeamsarecomparativelyideal.Fin