画版图时常见问题解析.doc

画版图时常见错误及注意事项 一、金属线宽及间距 这是画版图时很容易犯的错误，以下是每层金属走线的最小线宽及同层金属不同线条之间的最小距离（二者相同）： M1 M2 M3 M4 0.23um 0.28um 0.28um 1.50um 二、DRC常见错误及解决方法 DRC即设计规则检查，是对IC版图做几何空间检查，以确保线路能够被特定加工工艺实现。 问题描述 解决办法 建议 Min. M1 area 0.202 Minimum area of M1 region ≥0.202 版图连线未完成之前由于端口悬空产生的错误，先不用理会，完成之后，自动消失 Min. different potential NWEL space 1.40 保持不同电位的N阱之间的最小距离为1.4um 尽量避免把两个衬底电位不相同的管子放一起 Min. same potential NWEL space 0.6 保持相同电位的N阱之间的最小距离为0.6um NP space 0.440 (NP：N+ S/D Implantatiaon) 保持两个N管N+注入区最小距离0.440um（对应的Layer name为 NIMP层） PP space 0.440 (PP：P+ S/D Implantatiaon) 保持两个P管P+注入区最小距离0.440um（对应PIMP层） VIA3 must be 0.36 x 0.36 通孔的大小由默认值决定，不能更改 VTMN.S.1 { @ Min. space between two VTM_N regions 0.44um } 保持两个器件的VTM_N层间距=0.44um 同样是距离的问题，这是中阈值管相对其它管子多出的一层掩模层 A bent PO region is not allowed in VTM_N region 用POLY做连接时 POLY的宽度必须与管子的栅长相等 直接用POLY连接两个器件的栅时，首先必须保证两个器件的栅长相等！ @ Any point inside NMOS source/drain space to the nearest PW STRAP in the same PW = 30 um @ Any point inside PMOS source/drain space to the nearest NW STRAP in the same NW = 30 um 对相应的器件打阱即可 Min. enc.Of NTAP by NP0.18 with PWLL0.43 在通孔周围画N阱，使得N阱到扩散区的距离=0.43um 这是在自动生成M1_NWELL contact时产生的错误，是由于自动生成的contact的扩散区到NWELL的距离小于0.43um 上面的错误大多是距离的问题，有时这些要求满足了，还会出现一些问题，这时就要考虑是不是器件选用的错误。 三、天线效应检测 天线效应检测也属于DRC检测，只不过所用规则文件不同。 Attention： 1）开始布局时，不要为了节省面积而把器件放置的过于紧密（主要是注意两个不同电位N阱之间的距离，根据情况可以把这样的管子分开放置），尽量把N管和P管分开。 2）PMOS管间距的问题（NWEL space） ① 对于阱电位不同的P管，任何情况下，阱与阱之间的距离不得小于1.4um。 ② 对于阱电位相同的P管，不管是完全并联还是普通连接，只要它们的阱电位相同，都有两种排列方式，一种是根据规则使其间距大于等于0.6um，另一种则是使其边缘重合（这种情况应该是默认把管子做在同一个阱中）。 如下例所示，图1中，M0管是两个完全并联的P管（m=2），M1和M2是两个普通连接的P管，图2和图3即为分别用两种不同方案实现的版图（方案Ⅰ-- NWEL space 0.6um，方案Ⅱ-- NWEL space=0um）。 图1 电路 方案Ⅰ-- NWEL space 0.6um 图2 相应的版图（方案Ⅰ-- NWEL space 0.6） 方案Ⅱ-- NWEL space=0um 图3 相应的版图（方案Ⅱ-- NWEL space=0um） 建议用第二种方式，便于排列而且节省空间。 3） 边画边做DRC检测，发现错误及时修改(主要是为了监测金属走线的间距和管子之间的距离)，这样可以减少很多不必要的麻烦，节省时间。 4） 需要等间距排列器件时，可以选用快捷方式Edit-Other-Align 选中需要排列的器件，然后打开此窗口。在A