2007同济大学电科课件 半导体与量子力学 本征和杂质半导体中载流子.ppt

第四讲（2） 本征半导体和杂质半导体中的载流子 4 本征半导体的载流子浓度 本征半导体（intrinsic semiconductor） 本征半导体就是一块没有杂质和缺陷的半导体。 在绝对零度时，价带中的全部量子态都被电子占据，而导带中的量子态都是空的，半导体中共价键是饱和完整。 半导体的温度T＞0K时，有电子从价带激发到导带去，同时价带中产生了空穴，这就是所谓的本征激发。电子和空穴成对产生．导带中电子浓度等于价带中的空穴浓度。 本征激发情况下的电中性条件：n0=p0 本征半导体的费米能级 由n0=p0＝ni , 及表达式 取对数解 带入NC、Np: 一般半导体在室温下(k0T=0.026)费米能级在禁带中线（稍偏上）附近。除非禁带宽度小，电子空穴有效质量比很大，才明显偏离 本征半导体的载流子浓度 5 杂质半导体的载流子密度 杂质半导体物理意义 半导体器件中，载流子主要来源于杂质电离，本征激发忽略不计； 在本征载流子浓度没有超过杂质电离所提供的载流子浓度的温度范围，如果杂质全部电离，载流子浓度是一定的，器件就能稳定工作。 随着温度的升高，本征载流子浓度迅速地增加。当本征激发占主要地位，器件将不能正常工作，所以制造半导体器件一般均含有适当杂质的半导体材料。因此，每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度。 杂质能级上的电子或空穴占据几率 杂质部分电离的情况下，在一些杂质能级上就有电子占据着。例如在未电离的施主杂质和已电离的受主杂质的杂质能级被电子所占据。 杂质能级和半导体能级不同，在能带中的能级可以容纳自旋方向相反的两个电子；而对于施主杂质能级只可能被一个有任意自旋方向的电子所占据，所以电子占据杂质能级的分布几率和半导体能级上载流子分布几率有区别． 电子占据施主能级几率： 空穴占据受主能级几率： 施主浓度ND和受主浓度NA就是杂质的量子态密度，所以： 施主能级上的电子浓度(即未电离的施主浓度)为 电离的施主浓度ND+为 受主能级上的空穴浓度(即未电离的受主浓度)为 电离的受主浓度NA+为 杂质能级与费米能级的相对位置反映了电子和空穴占据杂质能级的情况 当费米能级EF远在ED之下时，可以认为施主杂质几乎全部电离．反之，施主杂质基本上没有电离．当EF＝ED时，nD=1/3ND,而nD+＝1／3 ND,，即施主杂质有1／3电离，还有2／3没有电离 同理，在费米能级EF远在EA之上时，受主杂质几乎全部电离了。反之受主杂质基本上没有电离．当EF＝EA时，受主杂质有l／3电离，还有2／3没有电离。 (a) 简单能带 （b）g(E) (c) f(E) (d) dn0/dE, dp0/dE 载流子浓度和半导体本身、禁带宽度和温度等相关； 上式对数关系可试验测定能带宽度，计算一定温度下本征半导体的载流子浓度 载流子浓度积： 说明一定温度下，任何非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积等于该温度时的本征载梳子浓度的平方，与所含杂质无关。此关系不仅适用于本征半导体材料，也适用于非简并的杂质半导体材料