PN结异常特性I-V曲线.ppt

1．PN结异常特性曲线. 要区分异常特性曲线，首先要了解PN结正常特性曲线，如图11、图12，凡是与PN结正常曲线不同的一般统称为异常PN结曲线。由于构成PN结的材料、结构、工艺不同，对于相同的异常特性曲线，其失效机理也不完全相同。 （1）软击穿 当PN结加反向偏压VR时，反向电流IR 在低压下就开始增加，在伏安特性曲线上， 没有明显的转折点。如图13. 产生软击穿的原因: A：PN结表面被水汽和杂质沾污，硅——二氧化硅表面存在界面陷井电荷，均起复合中心作用引起表面电流，增加半导体表面导电能力。在外加电压下，电流不是经具有反偏高阻的PN结流过，而是从表面流走的表面漏电流。 B:扩散杂质浓度过低，尚未形成良好的PN结。 C:材料缺陷多，二次缺陷多，重金属杂质沾污，碳的沉积、重金属杂质在位错上的沉积等，均可形成软击穿特性。但这种原因造成的软击穿往往有雪崩击穿转折点。 （2）“靠背椅”击穿 当PN结加反电压时，在低压下场感应 被击穿。当IR上升到比正常值大得多的 饱和值，由于反向击穿曲线如靠背椅， 故称这种击穿称为“靠背椅”击穿。如图14。 “靠背椅”击穿产生的原因： a:表面杂质沾污或氧化层污染，形成表面沟道所致。 b:外延层杂质补偿太大，热氧化时，由于二氧化硅有吸硼排磷作用，会使硅-二氧化硅界面P区表面硼减少而磷增多，使P区反型成N区，造成永久性沟道。也是造成“靠背椅”击穿的主要原因。 （3）分段击穿 当所加反向电压超过VPB时，反向电流IR 随反向电压近乎线性的增加，当VR增加VB 发生正常的雪崩击穿。分段击穿是局部作 用引起的击穿。如图15。 分段击穿产生的原因： a:外延层中层错，位错密度过高 b:光刻窗口未刻净、光刻边缘不整齐 c:表面存在扩散层后，引起的合金点、破坏点 d:结不平坦，使PN结结面上有尖峰突起 e:欧姆结未烧好 f:氧化层缺陷，呈电阻特性，随VR增加，将呈现曲线抖动的分段击穿。 （4）低击穿 是指在PN结所加反向偏压远低于理论值发生的低压硬击穿。如图16。 产生击穿的原因： a:外延层有雾缺陷、外延层太薄 b:集成电路中，隐埋层上方存在氧化层针孔。 c:如果前面分段击穿中，PN结面上的尖峰面积较大，电阻很小，也会形成低击穿。 d:外延层厚度不均匀、电阻率不均匀，都会引起击穿电压的不均匀。 （5）二次击穿 晶体管在反向电压的作用下产生的 雪崩击穿称作一次击穿。雪崩击穿后， 电流在结的部位局部集中，产生大量 的热载流子。载流子增多，电流增大， 从而产生更多的热量，激发更多的载 流子。如此连锁反应，形成恶性循环， 在极短的时间内呈现电流突然增大， 电压突然降低的负阻现象。如图17。 二次击穿产生的原因： a:扩散不均匀，发射极电流分配不均匀等，形成PN结内部的热电击穿。 b:局部工艺缺陷，造成电流集中产生的热击穿。 （6）击穿特性曲线蠕变 PN结击穿后，特性曲线发生蠕 变。它有两种情况，一种是随着 测试时间的增加，击穿电压不断 减小，有时会出现击穿回线；另 一种是随着测试时间的增加，击 穿电压不断增加。如图18 产生击穿蠕变的原因： 第一种情况：主要是表面沾污引起的，包括导电物质的沾污或氧化层中钠离子的沾污。由于表面上吸附的某些导电物质，经热处理后附着较牢固，必须在较强的电场中才能激活。 第二种情况：主要是由于钠离子的沾污造成的。 （7）双线击穿特性 图19、图20为常见的两种击穿性双线现象，具有这两种曲线的PN结，稳定性差，往往产生电参数漂移、早期失效，严重影响可靠性。 产生双线击穿的主要原因： 主要是管芯表面沾污引起的，随测试时间的增加，特性曲线线尾部抬起，出现双曲线。 （8） 击穿点附近发生振荡 在测反向击穿电压时，发现 特性曲线不稳定，特别是在拐 弯处抖动厉害。如图21。 产生振荡的主要原因： a:测CE结反向特性时，多半是由于发射极引起间歇通断。 b:在测锗合金扩散管时，由于抛光造成的腐蚀毛刺，或抛光槽中存在导电微粒等沾污引起的，严重时整个曲线背景一片模糊。 c:表面击穿引起的击穿不稳定，此时振荡的位置有高有低。 2．晶体管异常输出特性曲线 异常的输出特性反映了晶体管的结构、材料和制造工艺中存在的问题，与异常击穿特性结合起来分析，有利于我们更快地找出确切的失效机理。 （1）管道型击穿 如图22，它是因一种局部击 穿造成的。如局部位错、层 错、合金点、破坏点或光刻 边缘毛刺等所引起的低压击 穿。对于NPN管，硼扩散前 N型杂质、灰尘的沾污也将 形成管道型击穿输出特性。 （2）小注入时β小 如图23，在小电流注入时， 较小的几根Ib线靠的很近， 甚至并在一起，β很小。