微通量闸磁场感测器之研制-kuas.edu.tw.PDFVIP

  微通量閘磁場感測器之研製   國立高雄應用科技大學機械工程系 鄭振宗 國立台北科技大學機電整合研究所 呂志誠 摘要 利用微線圈、印刷電路板、或 CMOS晶片實現的微通量閘 (microfluxgate)磁場感測器，其 磁場解析度可比尺寸相仿的霍耳及磁阻感測器更高。微通量閘的訊號讀出需要相位敏感的交 流偵測電路，元件設計與驅動電路開發皆為此研究領域的重要工作。我們利用CMOS晶片與 微線圈，設計及製作微通量閘磁場感測器，並 分析其響應度與雜訊。在適當的激發條件下， 磁芯長度 1.9 mm的晶片型微通量閘其 1 Hz磁場雜訊可達到 2 nT/√Hz ，而磁芯長度8 mm的 繞線式微通量閘則可達到0.2 nT/√Hz 。晶片型微通量閘可應用於地磁場偵測，並具有量產的 潛力。 一、前言  (field noise spectral density) √SB 表示，公制單 位為 T/√Hz ；√SB 與響應度及電壓雜訊的關係 磁場感測器 (magnetic field sensors)是將 為： 磁場 (B轉換為電壓) ( V或數字輸出的裝置，由) 前端的物理感測元件與後端的訊號處理單元 S 構成。能偵測磁場分量的微型磁場感測器， SB V (1) dV / dB 現今的主要技術為霍耳效應(Hall effect) 、異 磁阻 (anisotropic magnetoresistance , AMR) 、 其中√SV為電壓雜訊頻譜，單位為V/√Hz 。在 巨磁阻 (giant magnetoresistance , GMR) 、穿 良好的磁屏蔽下，若後端訊號處理裝置的電 隧磁阻 (tunneling magnetoresistance , TMR) 、 壓雜訊可忽略，√S的量值由前端物理感測元 B 巨磁阻抗 (giant magnetoimpedance , GMI) 、與 件的特性決定。磁場雜訊亦可用方均根磁場 微通量閘 (miniature fluxgate或 microfluxgate) 雜訊Bn 表示，公制單位為T ： 等裝置[1],[2]。磁場感測器的性能表現於其靈 敏度(sensitivity) 、磁場雜訊(magnetic field V noise) 、可偵測範圍(detectable range) 、非線性 Bn n (2) d V / dB 度 (non-linearity) 、 以 及 平 頻 寬(flat bandwidth) ，其中以靈敏度與磁場雜訊最為關