溶胶_凝胶提拉法制备ITO透明导电膜.docxVIP

①溶胶2凝胶提拉法制备 ITO 透明导电膜陈世柱 , 李晶( 中南大学 材料科学与工程学院 , 长沙 410083)摘要 : 采用溶胶 凝胶 ( sol2gel) 法 , 利用自制的提拉实验设备于石英玻璃片上制得了 I TO (indium tin o xide) 透明导电薄膜 , 并就薄膜的物相结构 、微观组织 、导电性能及透光性等进行了研究分析 。结果表明 : 薄膜的方电阻和透光性与提拉速度 、提 拉 次 数 、热 处 理 温 度 、冷 却 方 式 及 Sn 原 子 掺 杂 量 等 因 素 有 关 。当 Sn 原 子 掺 杂 量 为12 . 5 % (质量分数) 、提拉速度为 80 mm/ min 、经 5 次提拉且每次提拉后经 550 ℃热处理 (炉外空冷) 而最终制得的I TO 薄膜的方电阻为 110 Ω/ □, 透光率可达 90 %以上 。用溶胶 凝胶法制备 I TO 薄膜具有工艺简单可控 , 成本较低且宜于大面积成膜等优点 。关键词 : sol2gel 法 ; 提拉 ; I TO 膜 ; 透明 ; 导电中图分类号 : T G 174 . 45文献标识码 : ASol2gel dip2coating techn ique f orpreparation of ITO thin f il mC H EN Shi2zh u , L I J i ng( School of Mat erial s Scie nce a nd Tech nolo gy , Ce nt ral So ut h U niver sit y , Cha ngsha 410083 , Chi na)Abstract : The I TO ( Indium tin o xide) t hin fil ms were p rep a red by sol2gel met ho d o n t he qua rtz gla ss slice s to beclipp ed by a la b2scale dip2coating equip ment . The st r uct ure p ropertie s a nd t he p hysical p ropertie s ( elect rical re si st2 ance and t ransmit ta nce) of t he fil ms were investigated by XRD , S EM , IR fo ur2p ro be met ho d and U V2V IS sp ect ro m2 eter . The exp erimental re sult s indicate t he po ssibilit y to p repa re t ra nsp arent a nd co nductive I TO fil ms by sol2gel dip2 coating technique. The resi st ance and t ra nsmi ssivit y of fil ms i s related to t he tin ato ms vol ume to be adulterated ,dip2coati ng speed , heat t reat ment temperat ure , et al . The re si sta nce of t he I TO fil ms i s 110Ω/ □a nd t he t ra nsmi s2sivit y i s abo ve 90 % at t he vi sible light a rea w hen tin ato ms co ntent in t he sample i s 12 . 5 % ( ma ss f ractio n) , t he dip2coating sp eed i s 80 mm/ min a nd t he heat t reat ment temperat ure i s 550 ℃i n t he technique co nditio n. It will be co n2venient fo r p repa ratio n of la r ge area I TO fil ms by sol2gel dip2coating technolo gy in lo w co st .Key words : sol2gel technique ; dip2coating ; i ndium tin o xide fil m ; limpidit y ; co nducting elect ricit y多[ 5 - 7 ] , 目前