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2．1．1数字集成电路逻辑设计……………………………………………………．．1
2．1．2数字集成电路物理设计……………………………………………………。14
2．2光刻原理……………………………………………………………………………．17
2．3分辨率增强技术……………………………………………………………………．20
2．3．1光学邻近校正…………………………………………………………………22
2．3．2移相掩模……………………………………………………………………～23
3．2．145度转角形状分析………………………………………．
3．2．2
L型形状分析………………………………………………
3．2．3多晶硅线端与有源区的距离………………………………
3．2．4平行多晶硅栅间距…………………………………………
3．2．5
End—Line结构……………………………………………。
㈨JI』If…Ⅲ舢…I|』||…Ⅲ…Ⅲ
Y1972423
3．2．6互连线通孔…………………………………………………………………。40
3．3总结……………………………………………………………………………………………………………一4l
第四章基于DFM的标准单元库设计研究……………………………………………44
4．1可制造性的标准单元库设计实验流程……………………………………………．44
4．2与物理设计相关的可制造性设计…………………………………………………．45
4．3测试电路………………………………………………………………………………………………………46
4．4标准单元库设计规则的选取………………………………………………………．．48
4．5可制造性评定标准…………………………………………………………………．．50
1
4．6实验结果……………………………………………………………………………．．5
4．6．1平行多晶硅栅间距(pps)……………………………………………………．52
4．6．2L形多晶硅栅与有源区的距离(pds)………………………………………．52
4．6．3多晶硅栅的线端长度(pel)…………………………………………………．．54
4．6．
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