面射型半导体雷射VCSEL简介.DOCVIP

第一章 導論 第二章 面射型雷射的特性 第三章 面射型雷射的設計 3.1 活性層﹝Active Layer ﹞ 磊晶分佈布拉格鏡面﹝DBR﹞ blocking by implantation blocking by regrowth 光輸出﹝Light output﹞ 微米雷射的構造﹝fabrication of microlaser﹞ 第四章 實驗結果與討論 第五章 結論 參考資料 第 一 章 導論： 半導體雷射在光雷工業上極為重要，它的機能直接影響整個光電系統的機能。就發光的幾何結構而言。半導體雷射可分為邊射型(edge emitting)和面射型(surface emitting)兩種。邊射型雷射共振腔平行於晶片，它的兩面反射鏡直接由晶體劈開造成。面射型雷射的共振腔則垂直於晶片，因此它是面發光型式，如圖一所式。 到目前為止，各類型光電應用中所採用的皆為邊型雷射，而面射雷射自1978年由K.Iga所提出之後﹝1﹞，由於結構複雜且需精密之磊晶，所以直到1989年J.L.Jewell等人製成高反射率DBR單量子井的面射型雷射﹝2﹞，才帶動了各國在此型雷射的研熱潮。本文將針對面射型雷射的特性及設計上的幾個重點，諸如DBR、GRINSCH、Block、Regrowth等做一討論。此外，由實驗上所測得的幾組不同數據，雖未成功的發射出雷射光，但