模拟电子技术基础--常用半导体器件.ppt

模拟电子技术基础 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 NPN三极管的结构示意图 晶体三极管的特性曲线测试图 极间反向饱和电流测试图 1.4 场效应管 二、工作原理 1、 uDS=0， uGS 对导电沟道的控制作用 uGS =0，耗尽层较窄，导电沟道宽 |uGS| ? 耗尽层变宽，导电沟道变窄 uGS = uGS(off)， 耗尽层闭合，导电沟道消失 uGS ? uGS(off) ，夹断 2、 uGS为uGS(off)~0中某一固定值时，uDS对iD 的影响 a: uDS=0, iD =0 b: uDS0, iD ≠0 导电沟道宽度不均匀 uGD = uGS - uDS， uDS?， uGD ? ，靠近漏极，导电沟道变窄，沟道电阻决定于uGS，uGS一定，则电阻一定，iD 随uDS?线性?，d-s间呈现电阻特性。 二、工作原理 c: uGD = uGS - uDS=uGS(off) ,漏极区夹断，预夹断 d: uDS?夹断区加长 e: uGD uGS(off) ,预夹断后， uDS? iD 几乎不变iD 几仅决定于uGS ，恒流 uGD = uGS - uDSuGS(off) , uDS? 为常量时，对于确定 的uGS 有确定的iD ，改变uGS 可改变iD 。