聚合单体对制备SiOx高阻隔性薄膜性能的影响.pdfVIP

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  • 2018-01-12 发布于广东
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聚合单体对制备SiOx高阻隔性薄膜性能的影响.pdf

聚合单体对制备SiOx高阻隔性薄膜性能的影响 周美丽,陈强,岳蕾,葛袁静 (北京印刷学院等离子体物理及材料研究室,北京102600) 摘要:本文论述在食品包装保质保鲜方面,对普通包装基材PET、BOPP等表面采用等离子体化学气沉积一 层纳米级透明的SiOx层高阻隔层。实验采用13.56MHz的射频等离子体装置。分别以四甲基二硅氧烷(TMDSO) 和六甲基二硅氧烷(斓DSO)为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP 等包装基材上沉积硅氧阻隔膜。比较了不同单体在制备氧化硅阻隔膜时各种工艺参数的影响。通过傅立叶红 外谱仪(FTIR)分析、扫描电子显微镜(SEM)表征,研究沉积膜的化学组成和结合状态;采用透湿测试仪 测试薄膜的透湿性能,研究工艺参数的变化、表面的结构变化、形貌改变等对薄膜的阻隔性能影响原因。 关键词: PEcvD四甲基二硅氧烷(TMDSO)六甲基二硅氧烷(mmso)高阻隔性薄膜 中图分类号:TB484.3 Abstract:Inthis thecharacterizationofsilicon onPETsubstrates paper,weinvestigated

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