精品多晶硅的淀积方法.pptVIP

低压化学气相淀积多晶硅 * * 多晶硅薄膜电学性质 多晶硅薄膜的电学性质与单晶硅很不同，它远比单晶硅的复杂。非掺杂多晶硅薄膜的电阻率很高，通常在106~108 Ω·cm。 引起多晶薄膜电学性质与单晶硅的差异，其根本原因是因为多晶硅薄膜存在晶粒间界，晶粒间界是一个晶向的晶粒向另一个晶粒的过度区域，它的结构复杂，原子呈无序排列，其厚度通常为几个原子层。 * 低压化学气相淀积 LPCVD方法较常压CVD方法有许多优点: (1) 采用LPCVD方法生长的膜均匀性好,结构致密,晶粒细; (2) 因为在低压下生长,CVD生长的膜较常压CVD方法生长的膜含氧量低,无氧化夹层; (3) LPCVD方法除反应气体外,不需任何携带气体;且使用扩散炉,设备简单,操作安全方便。而常压CVD需要大量的携带气体,气体经过提纯才能使用;且使用高频炉加热,既麻烦又不安全; * (4) LPCVD方法采用直立背靠背密装片的方法,有极高的装片密度,一次可装几十片,多者上百片,适宜大量生产,效率高,成本低。而常压CVD方法,片子需平放在石墨加热体上,一次只放几片,均匀性差,效率低,不宜大量生产。尤其随着硅片直径的越来越大,常压CVD方法就更不能适应要求了。 * 基本原理