SIMOX薄膜材料的红外光谱特性及其应用研究.pdfVIP

2000年10月 ·广西 ·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 SNIC1X薄膜荆料膨渺以耀漪牲及其应用* 卢殿通 ‘ 1.(北京师范大学低能核物理研究所，北京市辐射中心，北京，100875) 2.(DepartmentofElectronicandElectricalEngineering,UniversityofSurrey Guilford, SurreyGU25XH,UK.) 1 引言 SOI(Siliconon Insulator)技术是 21世纪的硅集成电路技术1【]。离子注人 S工MOX (Separation勿工mplantedOxygen)材料是最重要的SOI材料。近十多年来，国际上进 行了大量地研究工作。目前，SIMOX材料的工艺日趋成熟。SIMOX材料可以用来制备高速度、 高集成度、低功耗、抗辐射的SOI/CMOS电路，该电路多用于卫星和导弹的控制系统中。 对于SOI-SIMOX材料薄膜厚度的测量，以前多用卢瑟夫背散射(RBS)，扩展电阻(SR)，透 射电镜(TEM)二次离子质谱(SIMS),50工一MOSFET器件，椭偏光谱(ES}等方法”〕一“〕。这些方 法中，在测量中必须破坏样品，测量过程复杂，费时费工。 在SIMDX材料的批量生产过程中，急韶快速测定表层硅和绝缘埋层的厚度，及时调整 注人能量和剂量，使SIMOX材料的表层硅和绝缘埋层的厚度达到电路设计要求的指标。作 者详细地研穷了SIMOX材料的红外吸收光谱特性，求出了特征峰对应的吸收系数，提出了 利用红外吸收光谱侧蚤SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法。并根据离子注人原理进一步 计算出表面硅层的厚度。这是一个非破坏性的测量方法，在SIMOX材料开发利用、批量生 产中，用红外吸收光谱法，及时方便地检测SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度，随时 调整注人能量和剂量。我们用新进口的红外光谱仪，具有扫描功能。束斑为今50卿，可以 用扫描法测量05工表层硅和绝缘埋层的厚度的均匀性，此方法有广泛地应用前景。 2.实脸 2.1样品侧备 采用8-10C2-cm的p-Si(100)单晶抛光片，注人剂量(1.3-2.0)X10Icre，注人能量 170-200Kev，注人样品的有效面积为2-3英寸片。注人时靶温为600-7000Co注人后，样 品退火1300-1350℃,6-10小时，氮气保护。美国样品US-SO工，3寸p-Si(100),p=15- 2OS2-cm,注人剂量1.8x10B/are，注人能盘180Kev，注人温度6000C。退火温度13600C} 6小时，氮气保护。 2.2实获结果 2.2.1.snow样品的扩展电阻洲且和结果讨论、 sIhox样品退火前后进行扩展电阻侧量，扩展电阻测盘可以给出电阻率和载流子浓度 本研究工作招到国家自然科学基金俐0和北京自然科学羞金(N0.胭52002)的资助. ZIXK)年10月。广西 ·北海 第七届全国固体薄族学术会议 的剖面分布。由电阻率和载流子浓度分布的 变化可以确定表面硅层和绝缘埋层的厚度。图1. 是样品45一0和45一1的扩展电阻测量结果。样品 飞 一 · 卜 的注人剂量为 1.4刁xloIB+o/耐，注人能量为 粼 ， . ， 02哪ev。样品45一。注人后未退火，45一1注人后 . -