SiOx薄膜的制备及发光特性研讨.pdfVIP

2005年12月 第十三届全国电子束·离子束-光子束学术年会 湖南·长沙 SiOx薄膜的制备及发光特性研究木 李群1 粱坚1 吴雪梅2 诸葛兰剑2 (1、东华理工学院物理系江西抚州344000 2、苏州大学物理科学与技术学院江苏苏州215006) 摘要：本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的Si—Si02薄膜，XPS的测试表明si是以单 原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内；在波长为240nm紫外光的激发下，室温及1000℃退火后Si— 心以及其他缺陷所形成的发光中心。 关键词：SiO。薄膜双离子束溅射光致发光 中图分类号：TN304．055 文献标识码：A 1、引盲 多孔硅。室温下多孔硅有很强的光致发光现象，发光波长在可见光范围。这一现立即在科技界引起极 大的轰动，掀起了一股多孔硅研究热潮。 近些年对硅基薄膜发光的研究已逐渐转向在SiOz介质膜中注入si、Ge纳米颗粒的发光。人们发 现镶嵌在Si02薄膜中的si、Ge等半导体为几个纳米尺寸时，可以在室温下出现光致发光现象[2．J,41。 膜的微观结构和原子的化学状态进行了分析。在此基础上，研究了薄膜的光致发光(PL)。 2、实验 洗以除去硅片表面的自然氧化层，再用去离子水漂洗，经N：吹干后放人镀膜室，溅射靶为复合靶 (qbl00mm)，由中100mm的高纯石英圆片及粘在其上的高纯硅片组成，溅射沉积时基片温度为室温， 由辅源预溅射进行基片清洗，以进一步去除表面杂质和氧化层，主源溅射时其用于辅助沉积。另外实 晶体上薄膜。 灯，样品测试时用240nm波长激发；用HitachiH600A—II型透射电子显微镜(TEM)分析了样品的微区 形貌和选区电子衍射花样；采用Rigaku 射线光电子能潜分析。 ·苏州大学薄膜材料重点实验室资助课题。东华理工学院硕博基金课题． 一316- 2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子柬学术年套 湖南·长沙 3、结果与讨论 图l是室温下沉积的si—si02薄膜的XRD的实验结果。由图中可以看到样品仅在30。左右有一个 非晶硅峰，来自于基片中的单晶硅。对应的TEM微区形貌显示出均匀衬度，选取电子衍射花样(图2)为 非晶晕圆环。 o 习 m 一 圣 ‘罚 C ∞ 三 图lSiOx薄膜的XRD实验结果图2SiOx薄膜的TEM的选区电子衍射花样 这说明薄膜内的硅未形成晶态，而是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内。 值。XPS谱中未出现由于硅原子团簇的存在而引起的硅双峰结构，因而可以断定薄膜中的硅尚未形成 明显的硅富集的原子团簇1，Si、O主要是以SiOz形式存在。不过谱图中的峰不是完全对称的．在低能 方向的部分略大，说明样品中si02中氧含量的不足。用Si2p和Ols的积分强度及各自的灵敏度因子。 可以算出样品中硅和氧的原子浓度比。 leV BindingEnergy BindingEnergy／eV 图3SiOx薄膜的Si2p电子和Ols电子的XPS谱 一317一 2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 相互分离的峰。 PL是个相当复杂的过程。由于样品制备方法的不同或制备工艺条件的不同，各研究小组所制备而 得的样品结构也不尽相同。从而几乎没有两个小组报导过完全相同的PL测试结果。从所测得的PL谱 图得知我们的样品中存在着四个主要的发光中心，它们的能量分别相当于3．8ev、3．Oev、2．2ev以及 导观察到了其PL峰，但尚未确定其缺陷的种类，可能来自于低价氧化物SiOX中的未知的缺陷”。 j!sL五】u一—皿 Wavelength(nm)