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EPI外延培训教材 介绍 本文稿主要介绍EPI外延设备的相关知识。 主要内容包括： 1.设备简介。 2.外延工艺介绍 设备简介 设备的结构组成 System head pull-down menus Process chamber结构图 设备安全简介 设备的结构和组成 EPI主要由以下几部分组成： 1:Mainframe 2:Remote controller/AC Power frame 3:Vacuum system 4:Exhaust system 具体结构请参照附图 Mainframe 附图二整体示意图 System head pull-down menus Process chamber结构图 设备安全简介 EPI机台由于用到大量的 易燃,腐蚀及剧毒气体: H2,PH3,B2H6,DCS,HCL.所以在使用时一定要注意安全问题: 我们要在平时的维护中注意以下要点: (1)SCRUBBER的排气一定要处于负压状态 (2)在SCRUBBER排气处严禁任何明火存在,各类物品均需要防暴型. (3)设备端OVER PRESSURE管道一定要勤于检查防止堵塞. (4)在做PM时一定要带好防毒面具,严格按PM操作规程操作. (5)一定要勤于检查各项INTERLOCK信号的功能是否可用. 外延工艺简介 外延的优点 外延的缺点 埋层图形的移动 VLSI器件外延的要求 外延膜表面的光学检查 外延的优点 减少了在结构功率增加或在遭到辐射脉冲时CMOS电路可能经受的闩锁效应； 器件搀杂浓度的精确控制； 层中可以不含氧和碳 外延的缺点 增加了工艺复杂性和硅片成本； 在外延层中产生缺陷； 自掺杂效应； 图形改变和冲坏 埋层图形的移动 影响因素:基片取向、淀积速率、淀积温度和硅的原料。 基片取向：100取向的硅片,轴的方向上的图形移动得最小;111硅片则在偏离〈111〉方向2o-5o、接近110方向时，表现出最小的影响（效应）。因而用于生长111取向的外延层的基片有3o的偏离 VLSI器件外延的要求 严格的厚度和电阻率控制； 少量的工艺诱发缺陷； 减少图形移动和冲坏； 减少自掺杂； 降低工作温度 外延膜表面的光学检查 光学显微镜（雾、坑、颗粒和钉）； UV光源； 低倍（75-200X）的显微镜显示了层错和金字塔型缺陷； 外延层的掺杂浓度通常用四极探针测量方块电阻来确定（异型）； 掺杂剖面由测量扩展电阻、电容-电压、中子激活分析和二次离子质谱SIMS技术获得。 少子寿命提供了对重金属杂质浓度的测量（Zerbst方法） Thanks！ * *