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LED基础简介 LED是一种由半导体材料制成的组件，是一种新型的，是一种由半导体材料制成的组件，是一种由半导体材料制成的组件，用微弱的电能就能发光的高效固体光源，氮 化镓(GaN)基发光二极管(Light—Emitting Diode，LED)具有长寿命、低功耗、无污染等优点，可以应用在显示、照明等诸多领域。20世纪90年代，GaN材料的外延技术获得了突破性进展，并制备出了绿光、蓝光、紫外光以及白光LED,随着研究的深入和工艺的日趋成熟，LED的性能得到提高，逐渐发挥出材料本身的优良特性。但是，在LED的内量子效率以及白光LED的制备工艺等方面，都还有待进一步提高。中国科学院物理研究所陈弘研究组在GaN基LED领域不断开拓探索，先后做出过多项有意义的工作，最近又针对上述LED存在的问题，做出了宽窄耦合量子阱蓝光LED和单芯片自光LED这两个具有创新性的工作。 LED主要特点是：寿命长，能耗低，显色度高，易维护，主要特点是体积小，直流电驱动，驱动电压低，点亮速度快，无频闪，眩光少，耐震性强，发热少，防爆等特性，是最近来全球最具发展前景的高新技术领域之一 LED芯片发光原理 LED(LightEmittingDiode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架 上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成, 一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电 子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用 于这个晶片的时候,电子 就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的 形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的 材料决定的。 LED芯片的结构利用 LED芯片有两种结构，水平结构（Lateral）和垂直结构（Vertical）。横向结构LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧，电流在n-和p-类型限制层中横向流动的不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外压层的两侧，由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，极少横向流动的电流，可以改善平面结构的电流分布问题，提高发光效率，也可以解决P极的遮光问题，提升LED的发光面积。 LED的重要参数 1.正向工作电流If： 它是指发光二极体正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。 2.正向工作电压VF： 　　参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极体正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度升高时，VF将下降。 3.V-I特性： 　发光二极体的电压与电流的关系，在正向电压正小于某一值（叫阈值时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。 4.发光强度IV： 发光二极体的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为（1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd）。由于一般LED的发光二极管强度小，所以发光强度常用烛光(坎德拉, mcd)作单位。 5.发光波长WP（nm） 现市场流通的几款照明用芯片 小功率：10*16 mil 10*23 mil 中功率：24*24 mil 20*20 mil 大功率：50*50 mil 45*45 mil * HB LED Chip 其中 1 mil=25.4 um=0.0254 mm