半导体制造工艺用化学药品的现状和展望.docx

半导体制造工艺用化学药品的现状和展望丁建良俞亚君(无锡化工研究设计院无锡214031)摘要综述了半导体制造工艺用化学药品的应用、种类、作用、制法、纯度、评价技术和市场,还评论了半导体用药品现状和发展趋势。关键词湿化学品,金属杂质,颗粒,半导体AbstractInthispaper,theapplication,kind,action,manufacturingmethod,puri2ty,evaluationtechnology,andmarketofchemicalsforsemiconductormanufacturingpro2cessaresummarized.Thepresentsituationanddevelopmenttrendofchemicalsforsemicon2ductorarealsoreviewed.Keywordswetchemicals,metallicimpurity,particle,semiconductor半导体制造用化学药品,国外通常称为湿化学品(wetchemicals),其前常冠以“高纯”或“超高纯”(highpurity或ultrahighpurity)的形容词,国内则称为超净高纯化学试剂,属于电子化学品的范畴。这种化学品是半导体制造过程前道工序中起着重要作用的工艺性芯片加工材料。半导体是电子产业的支柱,其发展速度十分惊人。近三十多年来,集成电路(IC)的集成度以每三年增加4倍的速度提高,存储信息总量(即总位数)以每年增加2倍的速度增长。在近十年中,集成度增加了100倍,总位数增加了1000倍1。目前国外4MDRAM正在被取代,16MDRAM已大批量生产,64MDRAM正在出现,256MDRAM已研制成功。而我国继908工程(018～110μm技术)生产线通过国家验收之后,现正跨上909工程(8英寸硅单晶、0135～015μm技术)生产线的新台阶。发展超净高纯试剂是发展半导体元器件生产的重要支撑条件之一。要是清洗(包括干燥)、光刻、蚀刻工序(图1)。由于IC存储容量越来越大,存储器电池的蓄电量需要尽可能地增大,因此氧化膜变得更薄。于是,试剂中所含的杂质,碱金属(钙、钠等)会溶进氧化膜之中,成为耐绝缘用途和要求在半导体制造工艺中,第11期1使用试剂的工序主化工新型材料·3·电压下降的原因。重金属杂质(银、铁、铜、铬等)若附着在硅晶片表面上时,则会使P-N结耐电压下降。一般认为,造成断丝、短路等物理性故障的杂质分子大小为最小线宽的1/4。杂质分子或离子的附着是产生腐蚀或漏电等化学性故障的原因。会产生这种化学性故障的分子大小为最小线宽的1/103。因此,对于我国目前正开发中的1～4MDRAM来说,线宽1～018μm技术,应当排除的最小杂质分子是011～0108μm。国外大生产的16MDRAM,线宽015μm,应当排除的最小杂质分子是0105μm。而若从硅圆片方面来看,硅圆片表面金属杂质的浓度界限是1010原子/cm2,试剂中的浓度则必须在011ppb以下。随着半导体集成度的提高,IC中的设计图形最细线宽尺寸不断地在减小(表1)。IC中图形线宽是如此纤细,因此,半导体制造工艺中使用的试剂所含的污染物(尘埃颗粒、金属杂质等),若附着在电路的铝布线或氧化膜上时,都可能造成断丝、短路或绝缘电压降低等故障,导致成品元器件失效无法正常工作。从表1可知,IC集成度越高,对试剂中所含污染物的要求也越高。表1IC集成度与试剂质量的关系4,5年代～8486～8889～9192～9495～9798集成度(位)最小图形尺寸(μm)256K1151M1134M01816M01564M013256M0121G0113金属杂质(ppb)10030101011010101001目前半导体制造商对试剂制造商的主要要求可归纳如下:蒸馏温度等条件和蒸馏装置的材质,往往会引起杂质的溶出和微粒子的产生。再有,有热分解性的双氧水和会聚合的磷酸等,就不适宜用伴有加热的蒸馏法,而采用离子交换树脂等精制法。随着对试剂质量要求的提高,国外普遍采用多级蒸馏法、非沸腾蒸馏法等新的精制方法。而我国长期停留在常规蒸馏的传统方法,亚沸蒸馏仅用于小样科研。日本下野等研究了硅圆片清洗液中金属杂质浓度与硅片表面所附着金属杂质量的关(1)与集成度的提高相一致,提高试剂质量。(2)(3)(4)在使用点上保证高的试剂质量。开发具有新的功能性的试剂。研究用过试剂的再生和在其它领域的再利用。制法和纯度一般工业用试剂和半导体用的超净高纯试剂,其原料和制法几乎是一样的。电子工业用试剂与一般工业用试剂相比,其金属杂质前者要精制到几百ppt～ppb级的分析检出界限以下,而后者却只要求达到几～几十ppm。前者在最后工序用过滤器除去微粒子,在净化室灌装