基于MCVD工艺制备非零色散位移单模光纤衰减的优化技术.docxVIP

◆第六届中国通信光电线缆产业峰会技术篇基于MCVD工艺制备非零色散位移单模光纤衰减的优化技术孙可元李代军李庆国吴雯雯富通集团有限公司浙江省光纤制备技术工程技术研究中心摘要-MCVD工艺生产的非零色散位移单模光纤，色散和衰减是衡量光纤指标的主要参数之一，为了保证1550um 窗口处的衰减控制在0．20dB／km以下，本文结合实际生产，针对MCVD工艺制备非零色散位移单模光纤，提出了降低控制衰减的要点和方法。关键词：光纤衰减；MCVD；非零色散位移光纤O前言白1974年贝尔采用MCVD工艺制造光纤预制棒之后，随着技术的不断进步及生产规模化， MCVD工艺制造技术的优缺点逐渐显现出来，同时生产能力也被业内人士所关注。MCVD工艺具有操作简便、设备成熟、且可以制造复杂的折射率剖面光纤等优点，但同时存在着沉积效益低，预制棒受石英管材尺寸所限制等缺点，并且制品的衰减和水峰很难控制在极低的水平上，如制备非零色散位移单模光纤(G655)，衰减在1550nm窗口处严格要求控制在0．20dB／km以下(业内要求)，这就需要对MCVD设备及工艺进行优化，才能合理的保证衰减值不超标。MCVD工艺是目前四大光纤生产制造技术之一，而MCVD工艺制造芯棒是预制棒的核心技 术，通过折射率剖面的合理优化和芯棒纵向均匀性(T／A)的控制，可以将预制棒及光纤参数稳定，但光纤的水峰和衰减，却是MCvD工艺制备难攻克的课题。由于目前非零色散位移单模光纤在1550nm窗口工作时衰减小、色散低，极大的减小四波混 频效应，而且能用在EDFA和波分复用结合的传输速率在40Gbit／s以上的WDM和DWDM的高速传输系统中，弥补了G652光纤在1550nm窗口处色散大的缺陷。1光纤衰减及水峰介绍实现光纤通信，一个重要的问题是尽可能地降低光纤的损耗¨1。所谓损耗是指光纤每单位长 度上的衰减，单位为dB／km。光纤损耗的高低直接影响传输距离或中继站间隔距离的远近，因此，了解并降低光纤的损耗对光纤通信有着重大的现实意义。一般来说，光纤衰减的主要因素有：本征，弯曲，挤压，杂质，不均匀和对接等眩1。除衰减中的本征是光纤的固有损耗(瑞利散射及固有吸收)之外，其它基本是附加损耗(微．．306．．技术篇第六届中国通信光电线缆产业峰会◆弯损耗、弯曲损耗、接续损耗)，而附加损耗又是人为所造成，在实际中是可以从细节上避免的， 那么固有损耗(散射和吸收)是制备光纤的材料本身的特性取决，不同的工作波长下，固有损耗也相应的有所不同，避免固有损耗一直是光通信行业研究的方向。为了弄清楚产生损耗的机理，定量地分析各种因素引起的损耗的大小，对于研制低损耗光纤合理使用光纤有着极其重要的意义。制造光纤的基本材料为二氧化硅，二氧化硅本身就吸收光，且同时含有红外和紫外两种光吸 收，红外吸收是由于红外区材料的分子振动产生，主要是制备中由于一些杂质引起；另外还有氢氧根造成，氢氧根在光纤工作波段上有三个吸收峰，它们分别是0．959in、1．249m和1．389m，其中1．389m波长的吸收损耗最为严重，对光纤的影响也最大。在1．389m波长，含量仅占O．0001的氢氧根产生的吸收峰损耗就高达33dB／km【j弓J。2光纤衰减影响及其控制在实际生产中，氢氧根的产生因素很多，较为复杂。本文主要针对MCVD工艺制造光纤中氢 氧根的解决方法，众所周知，氢氧根的来源很多，如：制造光纤的材料中有水分和氢氧化合物，这些氢氧化合物在原料提纯过程中不易被清除掉，最后仍以氢氧根的形式残留在光纤中；制造光 纤的氢氧物中含有少量的水分；光纤的制造过程中因化学反应而生成了水；设备的密闭性差，造 成外界空气的进入带来了水蒸气等。2．1氢氧焰对衰减的影响 一般来讲，MCVD工艺制备中都是靠氢氧焰来作为热源，利用氢氧焰燃烧在石英管外壁加热，反应后的Si02、Geo：在热泳效益的作用下周而复始，按工艺设计进行沉积，完成预制棒的制备。 前面提N-氧化硅本身吸收光，故燃烧的氢氧是依赖纯水和氢氧化钠，采用大电流进行水电解反应获得，从中就含有大量水分。这水分随氢氧焰的燃烧渗透到石英玻璃管内，被反应的二氧化硅 石英管所吸收，致使产生氢氧根，所得光纤水峰过高，在实际生产中应加以注意在线测试燃烧气 体水分标定值。另外，可以采用气体提纯装置，对燃烧气体进行脱水，以防止燃烧的气体对制备的产品带来 高水峰、高衰减值的影响。2．2设备密闭性对衰减的影响 MCVD设备密闭是多重性的，部位比较广，如：气体管道、旋转接头、管材与设备的连接处(适配器)、尾部活动掏灰杆等部位部件。在生产过程中，由于某些部件容易受到磨损，部位部件 的及时更换与否会对密闭性产生很大的影响，同时对减小水峰和衰减有着至关重要的作用。使用一定的时间后，气体管道的一些连接部位，会像日常的用电一样，需要对其进行检漏紧 固