太阳能电池讲义.doc

太阳电池原理 §1.1 光电转换过程 与半导体太阳电池相关的光电转换大致包括三个物理过程：(1)光在空气-半导体界面上的反射与折射；(2)光子激发产生电子-空穴对；(3) 非平衡载流子的扩散和漂移，并被势场分离。 1. 光的反射与折射 一束单色光入射到半导体表面后，其中一部分将被反射，反射光与入射光强度之比称反射系数R，其余部分透射入半导体内。显然，透射系数 ( = 1 - R (1.1)( 对半导体这类光吸收材料，折射率nc可写为 nc = n - ik (1.2) 其中，n为普通折射率，k为消光系数，nc、n、k都是入射光波长(的函数。 当光垂直入射到折射率和消光系数分别为n、k的介质上时，反射系数与n、k的关系： (1.3) 在硅太阳电池感兴趣的波长范围内（300~1100nm），由于n (3.5，相当于R (30%。对非垂直入射情况，也有类似结果。 2. 半导体中的光吸收 半导体受到光照时，价带中的电子受光子激发而跃迁到导带，同时在价带中留下一个空穴。这一过程称半导体的本征吸收过程。发生本征吸收的条件是光子能量大于或等于半导体禁带宽度，即hv(Eg。因而不同半导体材料都存在各自的吸收限： (0=hc/Eg (1.4) 波长大于(0的光则无法被吸收。对硅而言，这一吸收限(0≈1100nm。 半导体内亦存在其它形式的光吸收过程，如杂质吸收、激子吸收、自由载流子吸收等等。对一般太阳电池而言，感兴趣的主要是本征吸收。 3. PN结的形成 当p型半导pp的空穴（多子），及浓度为np的电子（少子）。在n型硅中类似地均匀分布着浓度为nn的电子（多子），及浓度为pn的空穴（少子）。当p型硅和n型硅互相接触时，如图1.1（a）所示，交界面两侧的电子和空穴的浓度不同，于是界面附近的电子将通过界面向右扩散运动，而空穴则向左扩散运动。界面左侧附近的电子流向p区后，就剩下了一薄层不能移动的电离磷原子P+，如图1.1（b）（d），形成一个正电荷区，阻碍n区电子继续流向p区，也阻止p区空穴流向n区。类似的过程也使界面右侧附近剩下一薄层不能移动的电离硼原子B-，它阻碍p区空穴向n区及n区电子向p区的继续流动。于是界面层两侧的正、负电荷区形成了一个电偶层，称为阻挡层，如图1.1（b），因为电偶层中的电子或空穴几乎流失或复合殆尽，所以阻挡层也称作耗尽层。又因为阻挡层中充满了固定电荷，故又称空间电荷区，其中存在由n区指向p区的电场，称为内建电场，如图1.1（e）。显然在内建电场作用下，将产生空穴向左而电子向右的漂移运动，其方向恰与扩散运动相反。图1.1（c）为n区和p区的杂质分布，（d）为空间电荷区电荷分布；（e）为空间电荷区电场强度分布，可以看到电场强度极大值(max出现在n区和p区接触面上；（f）为各区载流子分布，（g）为p-n结的能带图。 p-n结形成过程也可以从能带图得到说明。n型半导体中电子浓度大，费米能级EFn位置较高；p型半导体空穴浓度大，故费米能级EFP位置较低。当两者相互紧密接触时，电子将从费米能级高处向低处流动，而空穴则相反。与此同时，在由n区指向p区的内建电场影响下，EFn连同整个n区能带下移，EFP则连同p区能带上移，价带和导带弯曲形成势垒，直到EFn=EFP=EF时停止移动，达到平衡，在形成p-n结的半导体中有了统一的费米能级EF。图1.1（g）中Eip、Ein分别表示p区和n区中的本征费米能级，而它们与该区实际费米能级之差除以q为VFP=（Eip－EFp）/q，VFn=（EFn-Ein）/q。EFp 、VFnPN结的光生伏特效应 图1.2 p-n结的光生伏特效应 当p-n结处于平衡状态时，在p-n结处有一个耗尽区，其中存在着势垒电场，该电场的方向由n区指向p区。如图（a）所示，电池被太阳照射时，能量h(大于或等于禁带宽度Eg的光子，穿过减