第6章二极管三极管和传感器.pptVIP

第6章 半导体器件 学习目标及考核标准 6.1 半导体 6.1.2 N型半导体和P型半导体 6.1.3 PN结 1.PN结的形成 2. PN结的单向导电性 6.2 二极管 6.2.1 二极管的基本结构 6.2.2 二极管的伏安特性 6.2.3 二极管的主要参数 6.2.4 二极管的主要应用 6.2.5 稳压二极管 3. 稳压二极管的主要参数 6.3 三极管 6.3.1 三极管的基本结构 6.3.3 三极管的特性曲线 2. 输出特性 6.3.4 三极管的主要参数 1. 电流放大系数，? 6.3.5 光敏三极管与霍尔元件 6.4　传感器 1. 稳压二极管符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 稳压二极管伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用 _ + U I O (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 4. 稳压电路 + – UI RL + C IO UO + – + – u I R DZ Iz 限流调压 稳压电路 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光。 6.2.6 发光二极管和光敏二极管 D E I 　正向工作电压一般不超过2V，正向工作电流为10mA左右。 　发光二极管常用作数字仪表和音响设备中的显示器。 1. 发光二极管 2. 光敏二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 RL D E 　光电二极管处于反向偏置状态，无光照时，电路中电流很小，有光照时，电流会急剧增加。 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 　发射区用来发射载流子。 　集电区用来收集载流子。 　基区用来控制载流子。 　晶体管有锗管和硅管 6.3.2 三极管的电流分配和电流放大原理 　PN结的偏置方式决定了晶体管的导通与截止。 　晶体管有两个PN结、三个电极，需要以一个电极为公用端接两个外加电压。故有三种接法。　 1.放大状态 （1）条件 发射结正偏、集电结反偏 　晶体管有三种工作状态：放大、饱和和截止。 NPN：发射结正偏 VBVE　；集电结反偏 VCVB 　 PNP：发射结正偏 VBVE　；集电结反偏 VCVB 以NPN管为例 EB RB EC B E C N N P RC （2）载流子运动过程 　发射区发射载流子形成IE，其中少部分在基区被复合而形成IB，大部分被集电极收集而形成IC。 三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IB IC ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成IC。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 （3）三电极电流关系 IE ＝ IB ＋ IC IC IB B E C N N P EB RB EC IE IB IC ICBO ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数. 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? 若IB =0, 则 IC? ICE0 (常用公式) （4）电流放大系数 直流： 交流： 放大状态时 （5）放大状态的特征 IB的微小变化会引起IC的较大变化； IC＝βIB，IC是由β和IB决定的； 0＜UCE＜UCC 晶体管相当于通路。 2.饱和状态 （1）条件 发射结正偏、集电结正偏 IC不随IB的增大而增大的现象 实际上UCE＜UBE即饱和 （2）特征 IB增加时，IC基本不变； UCE≈0； 晶体管相当于短路。 3.截止状态 （1）条件 发射结反偏、集电结反偏 （2）特征 基极电流IB＝0； 集电极电流IC＝0； 晶体管相当于开路。 　晶