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CVD法制备高质量ZnO纳米线及生长机理 * * 作者 唐　斌, 邓　宏,税正伟,陈金菊 ,韦　敏 英文篇名 Preparation and Growth Mechanism of Well-aligned ZnO Nanowires by Chemical Vapor Deposition 单位 电子科技大学微电子与固体电子学院; 西南石油大学理学院; 电子科技大学微电子与固体电子学院 成都 文献出处人工晶体学报, Journal of Synthetic Crystals, 　引　　言 ZnO是一种II2V I族氧化物半导体材料,由于它具有宽带隙、低介电常数及其它优异的光电、压电特性, 多年来一直广泛应用于压电转换、透明电极、表面声波器件、压敏电阻、湿敏、气敏传感器和太阳能电池等诸 多领域[ 1 ] 。自1997年Z. K. Tang等人报道了ZnO的紫外激射以来[ 2, 3 ] , ZnO迅速成为研究的热点。而对于 ZnO纳米线,从理论上可以推测[ 4 ] ,其电子态密度分布更集中,激子束缚能愈大,并且激子共振更强烈,因而 他们的吸收、发光等光跃迁谱更窄化,光与物质的相互作用更有效。这意味着ZnO纳米线在光电应用方面 具有更优越的性能,因此制备高质量的ZnO纳米线成为一重要研究方向。制备ZnO纳米线的方法有多种. Y. Li[ 5 ]等人运用模板限制辅助生长法制备出多晶ZnO 纳米线阵列。 日本的京都大学[ 6 ]用金属有机气相外 延法(MOVPE)在蓝宝石衬底上生成的高质量ZnO纳米棒。杨培东研究小组[ 7 ]将VLS机理和气相外延技术 相结合实现了纳米线阵列的控制生长。北京大学的Xing等人[ 8 ]在湿氧条件下蒸发Zn和ZnO的混合粉末, 制备出壁厚为8～20nm的ZnO纳米管。最近Jason B[ 9 ]等人运用(MOCVD)方法在蓝宝石上制备了整齐排 列的ZnO纳米线。运用化学气相沉积法(CVD)制备高质量的ZnO纳米线的报道还很少见。本研究中,以金 做催化剂,采用热分解ZnO粉末的CVD方法在Si (100)衬底上生长了有序排列的ZnO纳米线,运用X射线 衍射仪(XRD)与扫描电子显微镜( SEM)进行表征,结合汽- 液- 固(VLS)理论讨论了其生长机理。 2　实　　验 衬底采用n2Si(100) ,先用HF酸溶液浸蚀30 s,去离子水清洗干净再分别在丙酮与酒精溶液中超声波清洗2min,然后在Si基片上蒸镀大约10nm厚的金膜为催化剂。化学气相沉积方法(CVD)制备ZnO纳米线的实验装置如图1所示。高纯度的ZnO ( 99. 95 ? )粉末装在氧化铝舟中,将氧化铝舟放入管式炉的恒温中心位置, Si基片放在距ZnO源气路下游15cm的位置。炉管升温速率为20℃/min,当ZnO 源温度上升到1400℃时通Ar气(99. 99% ) ,流量为40 sccm,并将温度保持在1400℃ (此时基片温度在700℃左右) 。炉管内保持在26. 6～400kPa的真空度,沉积时间30min,自然冷却后取出样品,表面显灰黑色。采用英国BedeD1 System X射线衍射仪和日本JEOL2EDAX扫描电子显微镜对样品的结构和形貌进行表征。 3　实验结果与分析 3. 1　ZnO 纳米线表征 图2为ZnO纳米线XRD测试结果图谱,从图中可以看到:只有在34. 5°处出现了ZnO的(002)晶面的衍射峰,说明ZnO纳米线沿[ 001 ]方向择优生长;衍射峰强度大,宽度小,说明产物纯度高,结晶程度好,为ZnO单晶纳米线。 图3是样品的扫描电子显微镜的照片。图3 ( a)是样品的正面SEM图,从图中可以看出: ZnO纳米线的直径在100nm 左右,有一定的倾斜度。图3 ( b)是样品的断面区域放大SEM图,从图中可以看出, ZnO纳米线平均长度在4μm左右, ZnO纳米线的底端有一层大约500nm的ZnO薄膜, ZnO纳米线长在ZnO薄膜之上。图3 ( c)是样品的断面大视场SEM图,可以看出ZnO纳米线高度一致,排列较为有序。 图3　( a) ZnO纳米线正面SEM图; ( b) ZnO纳米线断面放大SEM图; ( c) ZnO纳米线断面SEM图Fig. 3　( a) The top view of SEM images of ZnO nanowires; ( b) magnifide cross2section