精品第二章_晶体二极管.pptVIP

与静态工作点有关 交流电阻的求法： （1）图解法：Q点切线斜率的倒数。 （2）rj的数值可以从二极管的伏安特性表达式中得出 * 二、二极管主要参数 1、最大整流电流IF IF指二极管允许通过的最大正向平均电流。实际应用时，流过二极管的平均电流不能超过此值。 2、最大反向工作电压VRM VRM指二极管工作时所允许加的最大反向电压，超过此值容易发生反向击穿。通常取V(BR)的一半作为VRM 。 3、反向电流IR IR是二极管未击穿时的反向电流，IR愈小，二极管的单向导电性愈好，IR对温度非常敏感。 * 三、二极管电路分析方法 KVL: D的伏安特性 1、图解分析法（Graphical Analysis） 利用二极管曲线模型，特性曲线与管外电路方程（负载线）的交点Q，即为所求静态工作点（IQ，VQ） * 2、简化分析法 利用简化电路模型 当 时,D导通,电路模型如右图 通常R＞＞RD，RD可忽略, D为恒压模型 * 3、小信号分析法(小信号工作状态) 电路如图(a), 小信号等效电路：只考虑交流信号作用 满足小信号模型成立条件。 * 小结 关键词：二极管模型 目标：二极管电路分析 主线： 曲线模型→图解分析法（在特性曲线上作负载线） 简化电路模型→简化分析法（估算） 工作条件：小信号工作 信号源信号（交流信号）相对于偏置（直流）是微变量→对信号源（交流信号）的作用二极管用小信号模型→小信号分析法 * 2.4 晶体二极管的应用 一、整流（利用单向导电性） 将交流电变为单极性电压，称为整流。图为二极管半波整流电路。若二极管为理想二极管，当输入一正弦波，正半周时，二极管导通(相当开关闭合)，vo=vi；负半周时，二极管截止(相当开关打开)， vo =0。 * 二、稳压电路 利用稳压二极管可以构成稳压电路和限幅电路。 稳压电路如图所示。图中VI为有波动的输入电压，并满足VI VZ。R为限流电阻，RL为负载。 * 三、限幅电路 限幅电路是一种能把输入电压的变化范围加以限制的电路。限幅电路的传输特性如图。 下门限（Lower Threshold） 上门限（Upper Threshold） * 1、利用二极管的正向导通特性实现限幅 当vI≥V+VD(on)=2.7V时，D导通，vo=2.7V，即将vO的最大电压限制在2.7V上；当vI 2.7V时，D截止，二极管支路开路， vo = vI。图(b)画出了输入正弦波时，该电路的输出波形。可见，上限幅电路将输入信号中高出2.7V的部分削平了。 上限幅电路 * 2、利用二极管反向击穿特性实现限幅 * 第二章 晶体二极管(Diode) 内容： 1、简单讨论半导体的特性（熟悉常用术语） 2、二极管特性——模型分析法（分段线性模型） 应用电路 整流 稳压 限幅 positive negative * 2.1 半导体物理基础知识 硅（Si） 锗（Ge） 砷化镓（GaAs） 简化模型 硅和锗的原子结构模型 * 价电子 硅和锗共价键结构 原子晶阵四面体结构 一 本征半导体(Intrinsic Semiconductors) 完全纯净,结构完整的半导体晶体。 T=0K（–273℃），本征半导体中没有可移动的带电粒子（载流子），不能导电，相当于绝缘体。 * 1、本征激发 T↑（或光照）→价电子获得能量→挣脱共价键束缚→自由电子→共价键中留下空位（空穴） 空穴 带正电 能移动（价电子填补空位的运动） 载流子 本征激发→产生两种载流子 （自由）电子 空穴 特征：成对出现，数目相等。 复合：本征激发逆过程（电子空穴相遇→释放能量→成对消失） * 2、热平衡载流子浓度ni T一定时，本征激发和复合达到动态平衡，此时载流子浓度ni是一定的。 ni=p0 =n0 p0 热平衡空穴浓度 n0 热平衡电子浓度 ni是温度的函数。T↑→ni↑↑ 在室温（T=300K）时，硅的 ni≈1.5×10 10cm -3，锗的ni≈2.4×10 13cm -3 硅的原子密度为4.96×1022 cm -3 ，ni仅为三万亿分之一。 问题：本征半导体导电能力很低。 * 二、杂质半导体（Doped Semiconductor） 掺入一定量的杂质元素，导电能力显著增加。 1、N型半导体 掺入五价元素（磷），