精品第七讲 刻蚀.pptVIP

硅片的等离子体刻蚀过程 8) 副产物去除 1) 刻蚀气体进入反应室 衬底 刻蚀反应室 2) 电场使反应物分解 5) 反应离子吸附在表面 4) 反应正离子轰击表面 6) 原子团和表面膜的表面反应 排气 气体传送 RF 发生器 副产物 3) 电子和原子结合产生等离子体 7) 副产物解吸附 阴极 阳极 电场 l l 各向异性刻蚀 各向同性刻蚀 * * 圆桶式等离子体刻蚀机 早期的离子体系统被设计成圆柱形的（如图），在0.1～1托的压力下具有几乎完全的化学各向同性刻蚀，硅片垂直、小间距地装在一个石英舟上。射频功率加在圆柱两边的电极上。 * 平板（平面）等离子体刻蚀机 平板（平面）等离子体刻蚀机有两个大小和位置对称的平行金属板，一个硅片背面朝下放置于接地的阴极上面，RF信号加在反应器的上电极。由于等离子体电势总是高于地电势，因而是一种带能离子进行轰击的等离子体刻蚀模式。相对于桶形刻蚀系统，具有各向异性刻蚀的特点，从而可得几乎垂直的侧边。另外，旋转晶圆盘可增加刻蚀的均匀性。该系统可设计成批量和单个晶圆反应室设置。单个晶圆系统因其可对刻蚀参数精密控制，以得到均匀刻蚀而受到欢迎。 * 平板等离子体刻蚀 * 粒子束刻蚀 粒子束刻蚀也是干法刻蚀的一种，与化学等离子体刻蚀不同的是粒子束刻蚀是一个物理工艺。如图所示，晶圆在真空反应室内被置于固定器上，并且向反应室导入氩气流。氩气进入反应室便受到从一对阴阳极来的高能电子束流的影响。电子将氩原子离子化成带正电荷的高能状态。由于晶圆位于接负极的固定器上，从而氩离子便被吸向固定器。在移动的同时被加速以提高能量。在晶圆表面上它们轰击进入暴露的晶圆层并从晶圆表面炸掉一小部分从而达到刻蚀的目的。 * 优点：刻蚀的方向 性非常好（属于各 向异性），非常适 合高精度的小开口 区域刻蚀 缺点：选择性差， 存在离子化形成的 辐射损害。 粒子束轰击示意图 * * * * * * 干法刻蚀中光刻胶的影响 对于湿法和干法刻蚀两种工艺，图形保护层是光刻胶层。在湿法刻蚀中对光刻胶层几乎没有来自刻蚀剂的刻蚀。然而在干法刻蚀中，残余的氧气会刻蚀光刻胶层。因此光刻胶层必须保证足够的厚度以应付刻蚀剂的刻蚀而不至于变薄出现空洞。 另一个与光刻胶相关的干法刻蚀问题是光刻胶烘焙。在干法刻蚀反应室内，温度可升到200℃，这样的温度可把光刻胶烘焙到一个难于从晶圆表面去除的状态，还有就是高温下光刻胶的流动倾向会使图形变差。 * 光刻胶的去除 刻蚀工艺完成后，作为刻蚀阻挡层的光刻胶已经完成任务，必须从表面去掉。传统的方法是用湿法化学工艺去除，尽管有一些问题，湿法去除在前线工艺还是经常采用的一种方法（特别是硅片表面和MOS栅极暴露并易于受到等离子体中氧气离子的损伤）。 另一种是干法的等离子体去除，在后线工艺中经常采用（此时硅片和MOS栅极已经被绝缘和金属层覆盖）。 湿法去除有许多不同的化学品被由于去除工艺，其选择依据是晶圆表层、产品考虑、光刻胶极性和光刻胶的状态（见下图）。 * 湿法光刻胶去除表 优点：成本有效性好；可有效去除金属离子；低温工艺并且不会将晶圆暴露于可能的损伤性辐射。 * 无金属表面的湿法化学去除 硫酸和氧化剂溶液 是最常用的去除无金属表面光刻胶的去除剂。无金属表面是指二氧化硅、氮化硅或多晶硅。此溶液可去除负光刻胶和正光刻胶。 有金属表面的湿法化学去除 因为金属会受到侵蚀和氧化，所以有金属表面去除光刻胶相对比较困难。有三种类型的液体化学品可供使用： 酚有机去除剂 溶液/胺去除剂 特殊湿法去除剂 干法去胶 同刻蚀一样，等离子体工艺也可用于光刻胶去除。将晶圆放置于反应室中并通入氧气，等离子场把氧气激发到高能状态，从而将光刻胶成分 * 氧化为气体再由真空泵从反应室吸走。反应式如下： 优点：操作方便，效率高，表面干净无划痕。 缺点：不能有效去除金属离子，高能等离子体 场对电路的辐射损伤。 离子注入后的等离子体去胶 离子注入后会导致强烈的光刻胶聚合并使表面硬化。一般用干法工艺去除或减少光刻胶，然后再加以湿法工艺。 * 光刻版制作 这一节简单介绍光刻版的制作过程。最初的光刻版是由涂上感光乳剂的玻璃板制成，但由于感光乳剂容易划伤，在使用中变质且不能分辩3μm以下的图形，现在最常用的感光版使用玻璃涂敷铬技术。制做过程如图所示。 最受欢迎的光刻版制作材料是硼硅酸盐玻璃或石英，它们有良好的尺寸稳定性