T-250钢薄壁圆筒环缝电子束焊接数值模拟.docVIP

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T-250钢薄壁圆筒环缝电子束焊接数值模拟

T-250钢薄壁圆筒环缝电子束焊接数值模拟 第33卷第6期 2010年l1月 兵器材料科学与工程 0RDNANCEMATERIALSCIENCEANDENGINEERING VolJ33No.6 Nov..2O10 T一250钢薄壁圆筒环缝电子束焊接数值模拟 郑刚亮,成军,孔晓丹 (西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安710048) 摘要利用ANSYS软件采用三维锥体热源模型对T一250钢薄壁圆筒环缝电子束焊接进行数值模拟.结果表明,三维锥 体热源模型适合于电子束焊接的数值模拟,由此得出的温度场分布与实际焊接情况吻合良好.残余应力在距焊缝中心轴 向4mm区域内会发生突变或者达到最大值.这个区域正好对应实际焊接的焊缝区和热影响区,说明数值模拟与实际焊 接有较好的对应性. 关键词数值模拟;电子束焊接;薄壁圆筒;三维锥体热源;T-250钢 中图分类号TG456文献标识码A文章编号10(M-244X(2010)03o435 NumericalsimulationofelectronbeamweldingforT-250steelthin-walledcylindersinh ZHENGGangliang,CHENGJun,KONGXiaodan (CollegeofMaterialScienceandEngineering,XianUniversityofTechnology,Xian710048,China) Ab矧Themodelofthree?dimensionalconicalheatsourcewasusedtosimulatetheelectronbeamweldingforT一250steel thin—walledcylindergirthbasedontheANSYSsoftware.Theresultsshowthatthree梔imensionalconicalheatsourceis applicabletothenumericalsimulationoftheelectronbeamwelding,theresuhingtemperaturedistributionisconsistentwiththe actualwelding.Theresidualstressinthecenterof4mmawayfromtheweldlinewillchangesuddenlyorreachthem~imum. Theregionexactlycorrespondstotheactualweldingofweldzoneandheataffectedzone,showingthatthenumericalsimulation andtheactualweldinghasgoodcorrespondence. Keywordsnumericalsimulation;electronbeamwelding;thin?walledcylinder;three?dimensionalconicalheatsource:T-250steel T一250钢是一种无钴型马氏体时效钢.具有高韧 性,成形性好,耐腐蚀,高温下强度高的优点.并且易于 制造,焊接和加热后变形较小,因此被广泛应用于航 空,航天以及军事等尖端领域[1].薄壁筒体环缝焊接结 构是航空航天,压力容器等常见的构件之一.电子束焊 接是以真空中聚焦的高能密度电子束作为能量载体对 材料和构件实现焊接的特种加工方法,具有焊接速度 快,焊缝深宽比大,焊缝热影响区小等优点.非常适合 于T一250钢薄壁筒体环缝结构的焊接. 但由于电子束焊接属于局部高温加热.高功率密 度的热输入集中作用在焊缝附件,造成焊接区温度的 急剧变化并在工件内部形成了较高的瞬态应力和温度 梯度,导致接头焊后产生较大的残余应力.采用有限元 软件ANSYS.并采用能更好的体现电子束焊钉头状焊 缝的三维锥体热源模型,对薄壁简体环缝I型坡口单 道焊接情况进行有限元分析.获得任意时刻接头的温 度场,残余应力分布. 1有限元模型的建立 为了缩短运算时间,考虑对称因素,所选用的有限 元模型由两个直径为400mm.宽60mill,厚2mm的 三维薄壁筒体的1/4环缝结构组成,如图1所示.在 收稿日期:2010—07—23:修回日期:2010—09—13 作者简介:郑刚亮,男,硕士研究生;主要研究方向为特种焊接技术及焊接数值模拟技术.E—mail:dada2008323@163.con. [D],,硕士论文.合肥工业大学,2007. [3]丁佰锁.复合泡沫金属材料缓冲吸能性能研究[M].硕士论 文.哈尔滨工业大学.2oo6. [4]于英华,梁冰,张建华.泡沫铝基高分子复合材料制备及其 性能[J].辽宁工程技术大学,20

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