微电子封装用AlN基材料金属化的研讨.pdfVIP

摘要 摘 要 在微电子封装领域，氮化铝 (AIN)基材料金属化的研究是促使其进入 实用阶段的关键。本文在铜 (Cu)厚膜导体、低温共烧，以及直接覆铜等 金属化方面开展了系统的研究，取得了较好的结果: 开发出适合AIN基板的无铅Cu厚膜导体浆料。该浆料采用一种对AIN 具有良好化学相容性和润湿性，并含有活性组分 (Ca0)的硼硅酸钡钙玻璃 作为助粘结组分，通过预氧化处理AIN基板的方法，可以有效提高导体层 的附着强度 (数值可达1.85Kg/mm2)。相关的研究内容己申请了中国专利。 针对Cu粉体易氧化的缺点，采用化学镀的方法在超细Cu粉体的表面 形成包裹银 (Ag)层，明显提高了Cu粉体的抗氧化能力。由其制备的Cu 厚膜导体层的电性能较好 ((2mQ/D)，烧结温度亦有所下降。 在低温共烧的研究中，首次采用Cu0为布线材料，通过空气下排胶一 氢气气氛下还原一氮气中烧结的共烧工艺，成功制备了性能良好的铜基 AIN/玻璃多层陶瓷基板。相关内容也申请了中国专利。此外，还成功制备 了银基多层陶瓷基板。 在直接覆铜 (DBC)的研究中，系统分析了AIN的氧化行为及其表面 氧化状态对敷接强度的影响。发现，界面结合强度与氧化工艺密切相关。 控制合适的氧化工艺，可获得敷接强度为4.7Kg/mm2的覆铜基板，满足使 用要求 (2Kg/mm2)e 关键词:AIN基材料，金属化，厚膜导体，低温共烧，直接覆铜 许听春:微电子封装用AIN基材料金属化的研究 II StudyonmetallizationofAIN-basedmaterialsfor microelectronicpackaging XinruiXu(Materialscience) DirectedbyProfessorHanruiZhuang Abstract StudyonmetallizationisakeyprocessfortheapplicationofAIN-based materialsinmicroelectronicpackaging.Inpresentwork,severalmetallizationsof AIN-basedmaterialsincludingcopperthickfilms,lowtemperatureco-firingand directbondingcopper,wereinvestigated.Mainresultsarelistedasbelow: Alead-freecopperpaste,whichiswellconsistentwithAINsubstrate,was developed.Thiscopperpasteemployedacalcium,barium-borosilicateglassas bondingagent.Thestudyoftheglassfritshowsthatitisachemicallycompatible glassandhasgoodwettabilitytoAINsubstrate.Furthermore,oneofthemain constituentsofthisglassfrit·calciumoxidewasfoundtobechemicallyreactive toalumina.Thus,theadhesionstrengthofcopperthickfilmcanbeimproved throughtheoxidationtreatmentofAINsubstrate,bywhichahighadhesion strengthvalueof1.85Kg/MMZwasachieved.AChinesepatenthasbeenapplied onthebasisofaboveworks. Inordertoovercometheconcomitantdiminutionofqualityandstability associatedwiththeoxidationofcopper,silvercoatedfinecopperpowd