精品第三单元1硅片制备.pptVIP

* * 直拉单晶制造法（Czochralski，CZ法）是把原料多晶硅块放入石英坩埚中，在单晶炉中加热融化 ，再将一根直径只有10mm的棒状籽晶浸入融液中。在合适的温度下，融液中的硅原子会顺着籽晶的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。把籽晶微微的旋转向上提升，融液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构。若整个结晶环境稳定，就可以周而复始的形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列整齐的硅单晶晶体，即单晶硅锭。当结晶加快时，晶体直径会变粗，提高升速可以使直径变细，增加温度能抑制结晶速度。反之，若结晶变慢，直径变细，则通过降低拉速和降温去控制。拉晶开始，先引出一定长度，直径为3～5mm的细颈，以消除结晶位错，这个过程叫做引晶。然后放大单晶体直径至工艺要求，进入等径阶段，直至大部分硅融液都结晶成单晶锭，只剩下少量剩料。 * * Most ingots produced today are 150mm (6) and 200mm (8) diameter, but Komatsu Silicon America, MEMC, Mitsubishi Silicon America, Shin-Etsu Handotai America, and Wacker Siltronics are developing 300mm (12) and 4