固有烧结温度低的微波介质陶瓷.pdfVIP

No．2 第31卷第2期 山东陶瓷 V01．31 2008年4月 SHANDoNGCERAMICS Apr．2008 ·综述· 固有烧结温度低的微波介质陶瓷 田中青，陈维玲，崔丽丽 (重庆工学院材料科学与工程学院，重庆400050) 摘 要微波介质陶瓷是现代通讯技术中的关键基础材料。在制备多层微波介质片时， 为了使用Cu、Ni等低熔点电极，必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。开发固有烧结温度低 (1060℃)同时具有良好性能的微波介质材料成为必然的选择。本文简要介绍了7类固有烧 结温度低的微波介质陶瓷的烧结特性与微波介电性能，同时也指出了研究中存在的一些问题。 关键词·微波介质陶瓷；低温烧结；微波介电性能 中图分类号：TQl74．75 文献标识码：A 一些问题。一是烧结温度降低的程度有限(不容 1 引言 易获得烧结温度低于900℃的介质陶瓷)，二是高 微波介质陶瓷是指应用于微波频段 掺量烧结助剂会不同程度地恶化材料的微波介电 性能。另外一种方法就是采用纳米粉体作起始原 (300MHz一300GHz)电路中作为介质材料并具 有一定功能的陶瓷。它具有介电常数Er高、品质 料[6~8]。但是纳米粉体的制备工艺复杂，对绝大 因子Q高、谐振频率温度系数r，小等优良性能。 多数材料而言，烧结温度降低的程度有限，很难满 现在微波介质陶瓷已广泛应用于微波通信、卫星 足实际的需要。因此开发固有烧结温度低( 通信、移动通信、电子对抗、机载及电子对抗设备 1060℃)并具有良好性能的微波介质材料成为必 中。随着微电子信息技术的迅猛发展，电子整机 然的选择。 在小型化、便携式、多功能、数字化及高可靠性、高 2 固有烧结温度低的微波介质陶瓷 性能方面的需求，进一步推动了电子元件日益向 体糸 微型化、集成化和高频化的方向发展。多层集成 2．1 circuit，MLIC)技术Pb(Fe2／3 电路(muhilayerintegration cofiredca— 和低温共烧陶瓷(10w—temperatureNb。／2)03(PFWPCFN)体系 ramics，LTCC)技术等是实现这一要求的主要途Pb(Fe2／3 径。这些技术的应用都要求微波介质陶瓷材料能 Fe，／2Nb，／。)0。(PCFN)的烧结温度都低，二者之 与高电导率的金属电极如Pt、Pd、Au、Cu、Ag等间可以形成固溶体。Nakano等人[9]研究了该体 共烧。从经济和环境角度考虑，使用熔点较低的 系的微波介电性能，如表1所示。从中可以看出， Ag(961℃)或Cu(1064℃)等金属作为电极最为该体系不仅介电常数相当高，而且烧结温度可以 理想，因此，降低微波介质陶瓷的烧结温度、使其 调节到1000℃及以下，具有一定的实用性。该体 能够同Ag或Cu共烧是目前研究的主要方向1-13。系材料在制备过程中很容易形成焦绿石相而恶化 为了能够在低温下烧结微波介质陶瓷材料，人们 其性能。采用分步合成及两次煅烧工艺可以获得 发展了多种方法。常用的方法是将低熔点氧化物 单相的PFW—PCFN陶瓷，从而获得优良微波介 或低熔点玻璃等烧结助剂加入到陶瓷中，通过液 电性能的