于IGBT与功率HOSFET的栅驱动器通用芯片.doc

羽于IGBT与功率HOSFET的栅驱动器通用芯片 用于IGBT与功率PIOSFET的栅驱动器通用芯片 l引言 SCALE一2芯片组是专门为适应当 今IGBT与功率MOSFET栅驱动器的 功能需求而设计的.这些需求包括:可 扩展的分离式开通与关断门级电流通 路;功率半导体器件在关断时的输出电 压可以为有源箝位提供支持;多电平变 换器与并联功率器件的专业控制功能 的兼容性;可以选择使用低成本的双向 信号的变压器接口或抗电磁干扰光纤 接口;可扩展设置,并具备故障管理; 次级故障信号输人,输出,3.3V到15V 的逻辑兼容性. 在延伸漏极双井双栅氧CMOS~0 造工艺中使用了这个芯片组,它包括 几个不尽相同的次级智能门级驱动 (IGD)ASIC和一个初级逻辑驱动插口 (LDI)ASIC. 2集成的棚驱动器核心 图1所示为栅驱动器ASIC原型的 显微照片.它的有源区约为: 4m/i/X2m/i/.常规封装是一个在 高电流接口有着双引线键合的SOIC一 54THEWORLDOFINVERTERS r—一 北京工业大学游雪兰吴郁张彦飞译 YouXuelanWuYuZhangYanfei 【摘要】如今,对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂,特别是在高压大电流领域,这需要 一 个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性,可靠性,可扩展性,应用灵活性以及在合 理的成本范围内缩短投放市场的时间.最新开发的SCALE一2芯片组的核心电路做了专门优化, 以便适应不同种类的JGBT,其应用范围可以达到150A一3600A,1200V一6500v,并且 可以为用户的专门用途进行预置. 【关键词】lGBr功率MOSFET栅驱动器 图1智能栅驱动器(IGD)的显微照片与分区示意图 图2逻辑驱动插口(LDI)的显微照片与分区示意图 16.在成本非常低的情况下,不同的 接合法常被用来控制不同的标准产品 的专业功能,包括可以选择使用双向 信号变压器接口或双向光导纤维接 口.这个高度集成的栅驱动器核心包 含一个输出电流与泄放电流为5.5A的 输出驱动级,同时支持对外置的n型 MOSFET的直接驱动,这样就可以轻 松放大栅极功率和栅极电流分别达到 20W与20A甚至更大.半桥推挽式输 出级为在低成本的扩展,几个栅驱动 器并联与不依赖关断栅极一发射极电压 的操作控制性都提供了可能. 先进的控制功能以及专门为客户 提供的选项可以通过在可编程的单层 掩膜上预置复合信号单元以及简单器 件(例如模拟比较器,逻辑门,CMOS 晶体管,接口),实现在最短的时间内 以具有竞争力的价格投入市场. 初级逻辑驱动插口(LDI)ASIC实 现了一个双沟道双向变压器接口,一 个带有专用启动序列可扩展的DC—DC 转换器,并且具有可扩展设置和故障 管理功能.图2所示为逻辑驱动插口 ASIC原型的显微照片.其有源区约为 4mnl×2mnl,常规封装为SoIC一16. 为了提高IGBT的抗短路能力,一 般在开启过程和导通状态下将其栅极一 发射极电压限制在+15V以下.由于 近来的IGBT的阈值栅压已经超过 3V,所以在关断过程和断开状态下把 栅极一发射极电压设置为0V就足够 了.这对于直接把栅驱动器集成在功 率模块中的智能功率模块(IPM)来说 是一种惯例.与这些小型的IPM相 比,现今常规的大型IGBT模块,带有 36个以上的并联IGBT芯片,它的栅极 互连线产生的电阻以及集电极一栅极转 移电容都会增大,这会对它的关断速 度,抗噪声特性造成严重的影响,特 别是还有可能产生由于瞬间电压导致 的局部误导通.为了减少这些影响, 栅极一发射极关断电压通常设定为一5V 图3高度集成的SCALE一2型双通道IGBT驱动器核心示意图 -- 15V. 因此,在第一种工作模式下, IGDASIC可以通过在”Vee”管脚(见图3) 调节发射极电压的方式,提供给开启 导通状态一个调节过的+15V栅极一发 射极电压来作为整个栅驱动器的供给 电压,其测量精确度为±450mV.工 艺偏差在30内,温度范围为400～ 1250.驱动直流电流必须被限制在 2.8mA以下,这样外部元件就可以控 制将栅极一发射极电压设定为用户需要 的值. 由于栅驱动器的总供给电压在 20.5V以下,所以驱动器需要使栅极一 发射极电压保持在一5.5V左右,这样关 断状态才可以抗噪声干扰.在这种工 作模式下,监测到栅极一发射极开启电 压小于12.6V,关断电压小于5.15V时 故障清除模式就会判断出错.与之相 应的启动电路与噪声滤波也已经实 现.栅驱动器的推荐供给电压范围为 20.5V一30V.在第二种工作模式,也 就是MOSFET模式下,ASIC同样提供 了一个0V的关断电压.一旦这种模式 被ASIC监测到,故障清除模式将把开 启电压8.5V作为判断出错的