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四角晶相HfO2001表面原子和电子结构研究-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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四角晶相 （ ）表面原子和电子结构研究!
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卢红亮 徐 敏 陈 玮 任 杰 丁士进 张 卫!
（复旦大学微电子学系， 与系统国家重点实验室，上海 ）
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（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪（ ）体相及其（ ）表面的原子几何与电
./012 ’’,
子结构 理论计算结果表明， （ ）表面不会产生重构现象 与体相电子结构相比， （ ）表面态密度明
3 ./012 ’’, 3 ./012 ’’,
显高于体相态密度 其次，表面原子的态密度更靠近费米能级（ ），价带往低能量处移动，并有表面态产生 计算结
3 !4 3
果表明了 表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度 （ ）的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于
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原子与 原子的配位数减少，表面原子周围的环境发生变化而引起的
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关键词：密度泛函理论， （ ），表面电子结构
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