感应耦合等离子刻蚀InP工艺.pdfVIP

第13卷第3期 功能材料与器件学报 V01．13．No．3 D嚣VlCES 2蝴年6是 lOE烈ALOFF馨NCTl0NAL醚众耀RlAl§A嚣D lt|魏。。2∞7 文章编号：1007—4252(2007)03一0276一05 感应耦合等离子刻蚀InP工艺 陈磊，张靖，张瑞康，江山 (武汉光迅科技股份有限公司，武汉43∞74) 摘要：采用Cl：／c珏。／N2感应藕合等离子体对lnP透行了剡镪。系统地讨论了RF功率、lcp功率、 反应腔压力、气体流量等工艺参数对InP材料端面刻蚀的影响。通过优化工艺参数，获得了光滑垂 蛊魏lnp裁蚀端露，载馕速率达到84|n影m法，与Si0：昀选择毙达到15：l。 关键词：干法刻蚀；感应耦合等离子体；InP；刻蚀端面 审圈分类号：谍305．7 文献标识弱：A lnd淞tiVelycoH拟穗薅as燃aetc嫩珏g醒lHP CHEN Shan ki，ZHANGJing，ZHANGRui—kang，JlANG (Accelink7IechnologiesCo．，Ltd，耳矿uhan430074，China) ofInpwas Abstract：Inductivelycoupledplasma(ICP)dryetching pelfomledusingC12／CH4／N2．’堇，he efbctsofRF nowrateare adjus— power，ICPpower，Processpres8ure，the thoroughlydiscu8sed．By side、V稳重lands￥noot|ls挂l{|aeeeanbeob￡ained。强eetchri娃eis84王nm／ tingetchingpa芤阻雏eters，Ve攫ieal to 1 the ratioover isestimatedbe min，and8electivity 5：1． Si02 high蹦than Xey啪l唾s：d搿ete羹ing；蚤童(瓤e羲velyco珏pledplasl堇la；重珏p；e沁hed差；孵e专 O弓|言 蚀气体、气体流量、工作气压、射频功率露偏压、 电极位置、温度等，而且刻蚀腔的内壁情况对于刻 近年来，IcP刻蚀技术作为一种新兴的高密度 蚀结果穰重复性也有很重要的影响。其中，刻蚀气 等离子俸予法亥l蚀技术，在对硅、二氧{{：硅、羹一 V族化合物等材料的刻蚀方面获得了很好的效果， 体的选择至关重要，cH。／H：是剡蚀In基材料的常 用气体，但易引起反应腔内碳氢聚合物沉积和材料 已被广泛应霜到了各种光电子器件的制作工艺中。 表面H钝化，刻蚀速率较慢。而在采用III—V族 目前，人们融经采用这一技术制作了基于InP材料 的半导体激光器谐振腔端藤、激光器与探测器集成 器件之间的端面、分光镜面、衍射光栅等H。。在 以上应用中，要求刻蚀端谢具有良好的粗糙度和垂