液晶性半导体材料的光电特性研究.pdfVIP

中国科学院液晶相关研究学术研讨会 吉林长春 液晶性半导体材料的光电特性 毖篮舟桥正浩，半那纯一 Scienceand Instituteof Imaging Laboratory,Tokyo Engineering Technology Nagatsuta，Midori—ku 在很长的一段时期内，液晶材料的导电过程都被认为是由离子导电所支配，因此 长期被排除在半导体材料之外。然而在90年代，德国的Harrer教授和日本半那教授的 唑衍生物棒状液晶的本征电子(孔穴)导电特性“”。’报道指出，在由具有芳香族兀共 轭中心部的分子形成的液晶相中，本征电子电导将占主导地位并具有,tAl04cm2Ⅳs到 0．Icm2／V$的高载流子迁移率，而且在很大的温度范围内不随电场强度和温度的改变而 改变。这一事实打破了液晶材料只能进行离子导电的传统观念，正式确立了液晶性半 导体材料这一新概念。由于液晶材料中分