铝基微弧氧化陶瓷层致密化.pdfVIP

第六石全圈表面工程学,t,et 兰州 2006年8月 铝基微弧氧化陶瓷层致密化 田野，沈德久，赵香玲，吴来磊，王玉林 燕山大学材料科学与工程学院表面研究所，河北秦皇岛066004； 摘要：本文实验研究了添加SiC、石墨微粉和水合离子封闭处理对铝微弧氧化陶瓷层耐蚀性的影响。 成膜速度显著提高；添加SiC、石墨微粉和水合离子封闭处理均使陶瓷层耐蚀性有所提高． 关键词：陶瓷层；致密性；封闭处理；微粉 1引言 微弧氧化是一种在有色金属表面原位生长陶瓷膜的新技术，是一种在含有特定离子的处理液中 通过高压放电处理和电化学氧化的共同作用，在A1、Mg、Ti等有色金属及其合金材料表面原位产 生陶瓷层的表面处理技术【l硎，它突破了传统阳极氧化的电压局限，利用高压放电产生的等离子体强 MQ口J、与基 化作用在基体表面获得硬度可达3000HV、最大厚度200—300|Im、绝缘电阻大于100 体冶金结合的陶瓷层。微弧氧化技术处理工艺简单，对环境无污染，能处理形状复杂的工件，而且 大幅度的提高了铝及其合金材料的性能，是一项很有发展前途的轻合金表面处理技术。但是微弧氧 化存在的最突出的问题是，微弧氧化陶瓷膜表层为疏松层，在腐蚀环境中使用时，腐蚀介质易进入 孔内引起腐蚀。本文实验旨在通过微弧氧化电解液中添加颗粒增强相或对氧化膜进行后期封闭处理 以提高陶瓷膜致密性，使其耐蚀性提高。 2试验部分 2．1实验材料 以纯度为99．7％的工业纯铝板作为基体，制成长1．Scm，宽1cm，厚2mm的矩形片。SiC和石 墨微粉作为第二相粒子。 2．2微弧氧化设备 利用自制WH-1B型微弧氧化试验设备嗍和机械搅拌器对纯铝试样进行外加粒子的复合微弧氧化 处理。 23电解液成分 本试验采用59，l 2．4微弧氧化工艺参数 微弧氧化工艺参数主要指电流密度及强化时间。电流密度为20A／din2，处理时间30min，处于均匀 放电阶段。 2．5微弧氧化封闭处理 分别采用过程颗粒封孔与后期水合离子封孔的方法对微弧氧化陶瓷膜进行处理。 颗粒强化封孔剂选用石墨和碳化硅微粉，颗粒含量均为159，l。微弧氧化后水合离子封孔工艺规 范为：NiS041．29／l，KF0．89a，PH值5．5-6．5，温度30．35C，处理时间15分钟。 2．6分析方法 利用日本理学D／MAX-rB型X-ray衍射仪对处理的试样进行相组成分析。将镶好的试样置于4DX 金相显微镜下观察，用数码相机进行拍照，最后由标尺测定厚度。将试验打磨同等大小，用环氧树 脂封孔镶样，在配置好的3．5％的氯化钠溶液侵蚀400h，烘干后用电子称重测量仪进行称重，进行耐 945 第六届全日表面工程学术会议 兰州 2006年8月 蚀性比较。 3结果与分析 3．1电解液温度对膜层生长速度的影响 个f11’ 图1NaOH体系中电解液温度与成膜速度的关系曲线 of Oildifferent Fig．1speedcoatingproduction temperature 出当电解液温度低于35。C时，膜层生长缓慢；当温度由35℃继续升高至钧℃时，成膜速度显著提 pm／min，当温度高于40℃时，成膜速度随温度升高而明显下降。 高，40℃左右达到一峰值，约为1．2 高于40℃时成膜速度随温度明显下降可以用溶液温度高使表层电化学，化学溶解作用增强，减小 膜层的厚度来解释，但是低于40。C时成膜速度随温度下降而下降的情况表明，温度对陶瓷层的生长 还存在另一种作用。在MAO过程中，放电通道的高温熔体在电解液的冷却作用下沉积使陶瓷层增 厚，但快速冷却产生的热应力会使陶瓷层出现微剥落。电解液电解液的温度越低，冷却能力越强， 相变热应力越大，剥落越严重，成膜速度越低。高温时溶解起主要作用，低