铜CMP中工艺参数对抛光速率的影响.pdfVIP

2006 2006年7月+ 润滑与密封 July 第7期(总第179期) LUBRICATIONENGINEERING No．7(serialNo．179) 铜CMP中工艺参数对抛光速率的影响 ． 王胜利袁育杰刘玉岭 (河北工业大学微电子研究所天津300130) 摘耍：为了提高铜布线化学机械抛光效果，对其抛光工艺进行了研究。采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铜布线进行 抛光。讨论了抛光压力、温度、氧化剂含量、流量等对抛光速率的影响。结果表明，不降低表面质量，在抛光压力为 o．15 MPa时，抛光片的抛光效果和抛光速率达到最佳；在20一30℃时，能较好地平衡化学作用与机械作用；抛光液流 量在200mL／min时，既节约了生产成本又能提高效率；当氧化剂体积分数在2％～3％时，抛光液既保持了较好的稳定 性。又能保证氧化能力，从而提高抛光速率。 关■词：铜；化学机械抛光；抛光速率；二氧化硅胶体 中圈分类号：TU528文献标识码：A文章编号：0254—0150(2006)7—113—2 hlfluenceofProcessParameterson Polishing in Rateof ChemicalMechanical Copper Polishing Wang Yuan Liu Shengli Yujie Yuling (InstituteofMicroelectronies，HebeiUniversityofTechnology，Ti,mjin300130，China) was to theeffectofthechemicalmechanical Abstract：The studied copperpolishingtechnology improve abrasivesWasusedto the influenceofthe Si02 polishcopper．The pressure，polishingtemperature，oxidant and flowrateon rateWasdiscussed．Theresultsindicatethatthesurfaceandthe ratecanbethe slurry polishing polishing bestwhenthe is0．15 the is20to30 canbalancetheactionofchemical polishingpressure MPa；whentemperature oC，it andmechanismand thesmooth the flowrateis200 Cansavethecostand the surface；when get slurry mL／min，it improve theoxidantconcentrationis2％一3％，the can the andoxidant efficiency；w