铜位元素掺杂提高Bi2223Ag带材磁通钉扎研究.pdf

摘 要 摘 要 第一章 首先简述了高温超导体的发展历史及其基本理论;接着介绍了 高温超导体磁通钉扎与缺陷之间的关系;然后介绍并讨论了超导体内的元 索取代效应，为我们的研究工作指明了方向;最后指出了本论文的选题依 抓。 第二章 制备了一系列Cu位掺杂Zn,Ni,Li的Bi-2223块材，利用XRD 技术分析了它们的相组成，系统地测量了它们的电阻转变特性及临界温度T, 并分析了它们与掺杂量之间的关系。结果表明:Cu位Zn掺杂会使Bi-2223相变 得不稳定，并降低其T,，只有当掺杂量小于0.01时才不会显著地降低T,oCu 位N:掺杂也会降低Bi-2223块材的T}。但不如Zn掺杂明显。Cu位Li掺杂的量 可比Zn,Ni的量大得多，且使Bi-2223块材的T。有所升高。这些结果为后面各 章制备Bi-2223/Ag带材时如何选取掺杂量提供了依据。 第三章 介绍了Bi-2223/Ag带材的制备工艺，制备了一系列Cu位Zn 掺杂的Bi-2223/Ag带材，并对各带材的相组成和微结构进行了分析。 结果表明，适量的Cu位Zn掺杂不会阻碍Bi-2223相的成相。对各带材 在磁场下的电阻展宽和J,(H)行为研究结果表明:适量的Zn(小于0.003) 掺入Cu位可以显著地增强Bi-2223/Ag带材在磁场下的磁通钉扎能力， 过量的Zn掺杂反而使带材的磁通钉扎能力降低。我们认为这可能是由于 Zn在Cu位的掺杂诱导了局域铁磁性，从而破坏Cu0面的局域超导电性，在一 定的掺杂量范围内，这种局域超导电性破坏区成为了有效磁通钉扎中心。 第四章 我们制备了一系列Cu位Ni掺杂的Bi-2223/Ag带材，对其 相组成和微结构分析表明:Cu位Ni掺杂不会阻碍Bi-2223相的成相。 同时，我们对各带材在磁场下的钉扎性能进行了研究，得到了与Cu位 Zn掺杂相类似的结果。我们认为这可能是由于Ni在Cu位的掺杂破坏了Cu0 面的局域超导电性，这种局域超导电性破坏区成为了有效磁通钉扎中心。 关键词:Bi-2223块材;Bi-2223/Ag带材:缺陷;磁通钉扎:Cu位掺杂;Zn掺 杂:Ni掺杂 Abstract Abstract Inchapter1,thehistory andthebasictheoryofhightemperature superconductors(HTS)areintroducedinshort.Then,therelationbetweenflux pinningmechanismandthedefectsinHTSisintroduced.Finally,theelement substitutioneffectinsuperconductorsisreviewedandourresearchpurposeisput forward. Inchapter2,serialsofBi-2223bulksampleswithdifferentelementdopingatCu sitearefabricated.TheirphasecompositionischaracterizedbyXRDtechnique.Their resistancecharacteristicandcriticaltemperatureT.aremeasuredcarefully.Theresults showthattheBi-2223phasebecomeunstableandtheirT.fallwhenCuispartly dopedwithZn.SimilarresultsisalsoobtainedforNidopingatCusite.However,for LidopingatCusite,theresultindicatesthatitcanimprovetheTcofthesamples slightly.Theseresultscanhelpustodeterminewhatisthefavoritedopinglevelat CusiteswhentheBi-2223/Agtapesarefabricatedinthefollowingchapters. Inchap