硅和锗在红外二维光子晶体中的适用性比较研究.pdfVIP

2003年十一省(市)光学学术会议论文集 硅和锗在红外二维光子晶体中的适用性比较 张磊1,2张晓玉1姚汉民1杜春雷1张福甲2 1中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室，成都，610209 2兰州大学微电子所兰州730000，Email：matlabs@一hotm—ail．c—om 摘要为了寻找更好的红外光子晶体材料，对硅和锗材料自身的性质进行了比较，并采用平面波展开法(PWE) 计算了两种材料气孔型二维光子晶体的光子带隙图，发现锗二维光子晶体的禁带比硅大得多，两种材料的反应离子 刻蚀(RIE)实验也表明相同条件下锗的刻蚀速率比硅大，说明锗是一种性质比较好的红外光子晶体材料。但由于 受其透过波长和其他一些因素的限制，在光子晶体应用中锗并不能代替硅。 关键词 二维光子晶体，光子带隙．平面波展开法，反应离子刻蚀 1．引 言 麦克斯维电磁波方程计算发现，在某些周期介电结构中，沿着特定的晶格方向，一定频率的电磁辐 射禁止传播。类比于半导体中电子的情况，将电磁波禁止传播的频带称为光子禁带，而这种结构则被称 为光子晶体11J。光子禁带的存在，使得光子晶体有了极其广泛的用途，如光子晶体滤波器、光子晶体波 导、光子晶体激光器等，当然光子晶体更有潜力的应用方向是光学集成。 制作和应用光子晶体除了要选择合理的周期结构外，材料自身的性质如介电常数、透过波长以及加 工的难易程度等都是需要重点考虑的因素。本文选择两种常见的半导体材料硅和锗，从材料自身性质入 手，分析其常见周期结构的带隙图，并对两种材料的RIE刻蚀进行研究，比较它们在红外二维光子晶 体制作中的适用性。 2．硅和锗在红外光子晶体中的适用性 光子晶体要求构成晶体的两种材料的介电常数差足够大，而其中一种材料通常是自然的空气，这就 要求另外一种材料为大介电常数材料，在红外波段硅和锗都能满足这一要求。在最常用的波长为1．55p 时，硅的介电常数为12．1l，锗的介电常数大约为16。介电常数的比较表明，对于特定的周期结构和空气 填充率，锗应该比硅具有更大的光子带隙，模拟的 结果也是如此。如图l所示为一定填充比(此处 选r／a=0．496是考虑到r，a接近0．5时完全禁带较 大f11)的正方排列气孔型二维光子晶体带隙与折 射率的关系，其中浅色阴影为TE禁带，较深色阴 影为TM禁带，最深色阴影为二者完全禁带。锗 材料对应于delta=．3处，硅材料对应于delta=．2．47 处，可见无论是TE禁带、TM禁带还是完全禁 带，锗的都优于硅。但同时我们也可以看到，对 r特定的结构，并不是介电常数差越大越好， An=4处的完全禁带远小于An=3处。 图l正方结构空气柱型光子晶体在r／a=0．496时光子禁 光子晶体及其应用要求选择的材料对处于 带随着材料折射率差(delta=-An)的变化情况。 indexcontrast rodtwo Gap·refractive mapofair 禁带的波长具有良好的透过性。在红外区域，硅 Fig．1 dimensional with squarelattice， 有砥个透过窗口，分别为1．2呻．7p和201x～300p．， photoniccrystal 透过率超过45％。所以这两种材料都适应于近红外波 其透过率都超过50％：锗的透过窗12为2p23“， 30 2003年十一省(市)光学学术会议论文集 段，所不同的是锗不能用于1．551a通讯波长。 3．常见结构硅、锗二维光子晶体带隙图及其分析 平面波展开法Il’21是对二维光予晶体进行模拟的最常用的方法之一。利用该方法，我们对两种材料