太阳能级多晶硅标准的初探.ppt

太阳能级多晶硅标准的初探——谈太阳电池对多晶硅材料的要求 厦门大学物与机电工程学院　 纲要 一、 建立SoG-MS标准的重要性 二、 纯度指标 三、半导体参数指标 四、结晶学指标 五、小结和建议 一、 建立SoG-MS标准的重要性 什么是太阳能级多晶硅(SoG-MS)? 显然是能够制备太阳电池的多晶硅材料。 自然要问： （1）什么样的多晶硅材料能制备太阳电池？ （2）这种材料能制备什么性能的太阳电池？ 这不但是SoG-MS的标准问题， 也是多晶硅太阳电池的基本物理问题。 据检索目前国内外没有统一的标准和规范，说明这问题的复杂性，并势必造成材料厂商和电池厂商的矛盾，不利于光伏产业的发展。 让我们看看近年来国内外对SoG-MS的标准的报道： 1、目前国内外各种太阳能级多晶硅规范 （1）信息产业部2006年6月“太阳能电池用多晶硅材料研发及产业化”招标文件，对技术的总体要求： 总量0.3ppma 即6N~7N （2）863计划建议初稿（05） “千吨级高纯多晶硅生产线工艺关键技术开发” 技术经济指标 （一）纯度 1、电子级多晶硅9 N – 11 N。 2、太阳能级多晶硅6 N – 8 N。 （二）杂质含量指标 1、电子级多晶硅 （1）硼 ≤ 0.20 ppba （2）施主 ≤ 0.90 ppba （3）碳 ≤ 1.0 ppma （4）Fe, Cu, Ni 和 Cr等金属杂质总含量 ≤ 30.0 ppba 2、太阳能级多晶硅 达到太阳电池生产要求 （3）“十一五”攻关计划（初稿） 产品质量考核指标： ①电子级多晶硅 杂质含量： P≤0.15ppba，B≤0.03 ppba， C≤0.1ppma， 体内金属杂质≤1.5ppba。 ② 太阳能电池级多晶硅： N型电阻率≥50Ω·cm, P型电阻率≥300Ω·cm， 杂质含量：P≤1ppba，Ｂ≤2ppba，C≤1.0ppma， 重金属杂质总量（Cu、Fe、Ni、Cr、Zn）≤20ppbw。 ③ 低成本、新工艺、新技术研究生产的产品： 纯度：6～7个9。 （4）06年国家科技支撑计划重点项目 “多晶硅材料产业关键技术开发”课题申请指南中 低成本多晶硅新工艺技术研究主要考核指标： “形成全流程工艺试验装置， 制备的多晶硅产品少子寿命≥10μs， 纯度满足太阳能电池要求。 经测算，直接生产成本不高于20美元/kg。 开发具有自主知识产权的低成本新工艺技术， 共申报专利4项以上”。 2、国外关于SoG－MS指标的报道 （1）2001年4月美国RENL发表的final report “production of SoG Silicon by Refining Liquid MG Silicon ”最终报告（RENL/SR－520－30716）结论中指出： 可将B从20－60ppma别降到 0.3ppma, P从20－60ppma别降到 7ppma. 但太阳电池制备要求：P为1ppma 其它元素总量：0.1ppma 低成本MG经过物理冶金法提纯后，分别经过Cz和Fz 制备电池效率分别为：12.5%和13.4%，没有光衰减现象。 （2）日本Kawasakidori 1-chome, JFE Steel co. (川崎制铁) 二、 纯度标准： 1、需要回答的一系列的问题： 5N？6N？7N?8N？还是 9N?根据是什么？ 太阳电池和IC对硅材料纯度要求有何异同？ 太阳电池对每个元素纯度要求是否一样？ 如何检测多晶硅的纯度？ 2、杂质对太阳电池性能的影响： 太阳电池是半导体光电器件，由半导体材料制成。 杂质在半导体中形成能级，能级起产生和复合少子的作用。 半导体材料和器件的性能和杂质种类、浓度密切相关。 半导体工程就是杂质工程，杂质的提取和掺杂！ 看看杂质是如何影响太阳电池的光电转换效率的：  （1）D.E.Hill 等人在1975年12th 光伏会上发表， 为保证单晶硅太阳电池光电转换效率10％的杂质容许值的论文   （2） J.R. Davis等在1978年13th光伏会议上发表 “金属杂质对硅太阳电池性能的影响”的论文 1、太阳电池对各种杂质的纯度的要求是不同的 从D.E.Hill 和J.R. Davis等人76－78年的工作报告可以看到： ①Ta、Mo、Nb、Zr、W、Ti和V等 0.01ppba； ②Au、Cr、Mn、Fe