深紫外全固态激光DUVDPL技术及应用研究.pdfVIP

深紫外全固态激光(DUV--DPL)技沭及应府 许祖彦 一．DUV--DPL技术 当前，深紫外(DuV)科研装备主要使用同步辐射和气体放电等非相干光源，同 ．cm2)，这些性能已不能满足DUV仪器发展的需求。开发DUV激光源就成了激光技术 的重要发展方向，虽然，多年来已研究出几种，如：准分子激光、气体高次谐波、四波 混频和自由电子激光等。但这些相干光源对于科研装备配套使用的基本要求——实用化 和精密化，尚有一定距离。如：准分子激光虽有平均功率高(w～kw)的优点，但光束 质量差、波段范围窄(IlIll)，调谐困难，不能研究超快过程，且多含有毒气体，寿命有限， 横向放电激光稳定性差等；气体高次谐波和四波混频虽波长短，但仅能产生少数波长且 效率很低，实用化困难：自由电子激光器是一种比较理想的激光器，波段／调谐很宽(x 光到远红外)，可输出大功率(如kW以上)，但目前技术尚不成熟，且体积大，造价高。 DPL具有体积小、寿命长、效率高等优点，并且易实现实用化、精密化，如光束 质量好，可实现宽调谐、窄谱线，低重频至高重频、连续波、纳秒／皮秒／飞秒脉冲等多 样化运转，稳定性好，易实现模块化，是新一代的激光光源。近十余年来，可见／近红 量(近衍射极限)方向发展，而Duv—DPL技术尚处在待开拓状态。以受激发射原理 为基础的固体激光器，由于激活离子能级结构的限制难以直接产生深紫外激光，而利用 以高功率近红外DPL为基频光源的非线性谐波技术，通过多级变频产生DUV相干辐 射，被视为发展DUV—DPL的重要途径。长期以来国内外科学家作了巨大努力，仍没 激光应用仪器的发展也受到很大限制，因此200nm波长被称为“深紫外壁垒”【l】。 根据公式P“(1／九)3，受激发射波长(入)越短，要求激发速率(P)越高，因此 通过多级非线性光学变频过程实现DUV--DPL更方便，而与SFG法相比，SHG法更 实用化／精密化【2】a F的深紫外波段实现棚位匹配，足11前直接倍频【“^a波K最铺的晶怫。通过图】町|三l看 SHG浊发肥DUVDPL的lif_体。 到，KBBF足¨前唯能』}j 200nm 图iKBBF晶体’，其他非线陛光学品体SHG蛀糖波K对比 图2KBBF品体结构H；意图 刨天研究自【牛长出单品并确定了出体结构，删最r光学性能，拒此基础E，陈刨天和许 租彦n·香港科人实验发现r该品体直接情频产生深紫外特性…。KBBF成为至令唯一 种能直接倍频户牛深紫外的北线性光学晶体(见煳¨。KBBF晶体除其有许波波K短 2008～2009中同光f乜行业及df场 的优势外，还具有不潮解，损伤阈值高，接收角大等优点。KBBF晶体为六边形的薄片 (如图2所示)，具有层状生长习性，厚度仅为mill量级，一般小于2mm，无法按相位 匹配方向切割，限制了它在紫外、深紫外方面的应用，无法发挥其深紫外优势。为此， 我们发明了三种相位匹配耦合方法【蜘，已获中、美、日专利授权，解决了它的紫外、 深紫外匹配问题。 图3棱镜耦合方法示意图 技术与耦合棱镜键合，通过选择合适的棱镜材料、合适的棱镜角度(0嗤)，就可以使基 频光由棱镜入射，在KBBF晶体内达到相位匹配角，实现相位匹配。使基频光波长低 于470nm时也能入射进KBBF晶体实现相位匹配(图4)。 ^ 蜊 V 援 陆 圜 逍 罂 图4采用棱镜耦合方式和直接入射方式KBBF的倍频波段比较 2008、2009【tI闷)f己电行qp技f}f场 我们使用PCT技术进行了Nd离子激光6次谐波‘81和宽调谐Ti：S激光四次谐波产 生实科91，其原理如图7和图8所示。实验获得的m级深紫外激光与同步辐射光源以 及深紫外放电光源性能的比较’。在能量分辨率，光子流通量／光子流密度，运转方式、 可调谐性和探测深度等综合性能指标上，DuV—DPL具有明显的优势，属跨越式发展。