高纯石英隔离层对熔融石英坩埚与铸锭晶体硅间杂质扩散的影响.pdfVIP

2013第九届中国太阳级硅及光伏发电研讨会论文（晶体硅材料） 高纯石英隔离层对熔融石英坩埚与铸锭晶体硅间杂质扩散的影响 尹长浩 ，周海萍 ，周绪成 ，张兆玉 ，黄新明1 2 1 1 1,2 1 2 （东海晶澳太阳能科技有限公司，连云港 222300； 南京工业大学，南京 210009） 摘要：熔融石英坩埚中的金属杂质浓度较太阳能级晶体硅高4-5个数量级，其中对晶体硅性 能危害较大的过渡族金属Fe含量较太阳能级晶体硅高2-3个数量级，因而在铸锭过程中熔融 石英坩埚对硅料的污染不可忽略。本文以Fe在坩埚与晶体硅中的扩散为研究对象，通过在熔 融石英坩埚内壁制备0.5-2mm厚度不等的高纯隔离 ，阻挡坩埚本体内Fe 向硅熔体及晶体硅 中的扩散。随着高纯隔离层厚度的增加，硅锭整体少子寿命略有上升，硅锭边部的红区基本 可以消除。对高纯隔离层进行高温烧结可以加强这一效果。 关键词：多晶硅；高纯隔离层；杂质扩散 Effectofhighpuritysilicabarrierlayeronimpuritydiffusionatsilica crucibleandmc-silicon ChanghaoYin ,HaipingZhou ,XuchengZhou ,ZhaoyuZhang ,XinmingHuang1 2 1 2 1,2 1.DonghaiJASolarTechnologyCo.,Ltd.,Lianyungang,Jiangsu222300,China 2. College of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Technology, Nanjing 210009,China Abstract: Concentrationsofthe impurities in a silicacrucible are4-5 ordersofmagnitudehigher thanthoseinthemulti-crystallinesiliconforPV. Particularly,therepresentativeimpurityofFeina silica crucible is 2-3 orders of magnitude higher than that in multi-crystalline silicon. Therefore, contaminationfromthecrucibletosiliconcrystalduringthecastingprocessisaninevitableproblem. Inthispaper,abarrierlayerofhighpurity silicawith0.5-2mmthickispreparedontheinnersurface of the crucible to prevent the diffusion of impurities, such as Fe, from the crucible to the silicon crystal. Theresults revealed thatthe minority carrierlifetime ofthe ingot couldbe improved and the red zone with low minority carrier lifetime could be basically eliminated with increasing the thicknessofthebarrierlayer,andtheeffectcouldbeenhancedbysinteringthebarrierlayer. Keywords:multi-crystallinesilicon,barrierlayer,impuritydiffusion 1. 引言 行，硅锭中少数载流子寿命分布通过应用微 熔融石英坩埚是目前多晶硅铸锭必不可 波光电导衰减仪（μ-PCD）进行测量。铸锭 少的容器，其金属杂质总量较太阳能级晶体 后高纯隔离层内不同深度的杂质分布通过