LaTiO高k栅介质GeMOS电容电特性及Ti含量优化.PDFVIP

LaTiO高 栅介质GeMOS 电容电特性及Ti 含量优化 徐火希 徐静平 ElectricalpropertiesofLaTiOhigh- gatedielectricGeMOScapacitorandTicontentoptimization XuHuo-Xi XuJing-Ping 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,037301(2016) DOI: 10.7498/aps.65.037301 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.037301 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I3 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热载流子注入应力导致的退化对沟道长度的依赖性 Gate length dependence of hot carrier injection degradation in short channel silicon on insulator planar MOSFET 物理学报.2015,64(16): 167305 /10.7498/aps.64.167305 高k栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管阈值电压和亚阈斜