Mn离子注入InAsGaAs量子点结构材料的光电性质研究.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 8’ $ ##( $ ， ， ， +H@ 38’ TH 3 $ .CAC/U ##( （ ） ###=%9#0##(08’ #$ 059%#=#’ .:P. NQRS,:. S,T,:. $##( :E?- 3 NEG/ 3 SHI 3 ! 离子注入#$% ’($% 量子点结构 材料的光电性质研究! ! 胡良均 陈涌海 叶小玲 王占国 （中国科学院半导体研究所，北京 ###$% ）