多晶硅太阳电池激光损伤杂质吸除.PDF

维普资讯 第l卷【 第 1期 太 阳 能 学 报 VO1．I1．N o． 1口9o年 1月 Jan．， 1000 ACTA lIN朗 G A【E SOLARIS SINICA 多晶硅太阳电池激光损伤杂质吸除 季秉厚 罗永胜 李蓉萍 (内蓑吉大学) 摘 要 在多矗硅片背面进行擞光辐射摘俦，随后进行遇火处理，使俸 内杂质在背表面富集，用 化 学 腐蚀方法将背表面损伤层腐蚀后，进行电池制作，可改善电池特性 研完 了遇火时间和遇火基度对电池性能的影响，实验得刊最佳的遇火温度为1000~O，遇 火时 闻为 I小时。在最佳条件下进行退火处理的电池可使转换效率增加 18 。