应用在Ku波段之掺杂及非掺杂氮化镓高功率微波元件之制作及高频特性量测与比较(I).PDFVIP

行政院國家科學委員會專題研究計畫 期中進度報告 應用在Ku波段之摻雜及非摻雜氮化鎵高功率微波元件之製 作及高頻特性量測與比較(1/2) 計畫類別：個別型計畫 計畫編號：NSC92-2215-E-009-046- 執行期間：92年08月01日至93年07月31日 執行單位：國立交通大學材料科學與工程學系 計畫主持人：張翼 報告類型：精簡報告 處理方式：本計畫可公開查詢 中 華 民 93年10月6日 國 一、計畫中文摘要 關鍵詞：砷化鎵，銅金屬化製程，高電子移動率電晶體，異質接面雙極電晶體，歐 姆接觸，空氣橋，熱穩定性，可靠性。 摘要： 本研究旨將目前砷化鎵銅製程整合至砷化鎵高頻元件製程上，並以高電子移動 率電晶體(HEMT)與異質接面雙極電晶體(HBT)研究其元件特性。內容包括前端製程 之歐姆接觸金屬、內連接導線與空氣橋部分，並驗證其熱穩定性與可靠性評估。在 完成元件製作後進行量測電特性及熱處理之特性變化之外，同時探討銅 /擴散阻障層 / 基層材料間之材料界面反應情況，包括銅/擴散阻障層歐姆金屬等之多層薄膜材料/ 系統穩定性研究。本報告內容並完成將