种子层对较大共格InAsGaAs量子点的形成的影响研究.pdfVIP

种子层对较大共格InAs/GaAs皿子点的形成的影响 张金福，刘会赞，徐 波，陈涌海，丁 鼎，王占国 (中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室，北京100083) 摘 共:我们利用原子力显橄镜和透舫电于显徽忱系 我们通过对种子层对GaAs表面的形晌和平均 挽地研究了2个原子毕层加ks种予层对InAs/Gs InAs/G4s失配的减小对环型位幼形成作用系统的分 t子点尺寸和形状在不同lam及盈厚度(2.0,2.5,2.9 析，解释较大t子点在种子层影晌下形成的原因。 原子单层)的影响.对于单层样品，作共格而且校 由于种子层的作用，InAstOLAs失配将减小，从而非 大的】nmt干点d.蕊在2.5个原子单层的及且度. 共格t子点形成的临界尺寸将变大。通过镇型分析， 一旦移共格的全子点形成，全千点将迅速合并，形 由于种子层的作用，非共格t子点形成的临界半径 成不抓All的形状.与单层样品相比，在种子层的影 将由原来的Isfim增加到27nm.同时，我们的理论 响下校大且均匀的InAs全予点形成于2.9原子单层， 模型还解释另外的一些实验现象，如InGaAs/GaAs 其谈向尺寸达到43nm,高度达到 linm.另外，我