在GaAs衬底上LPMOCVD外延InAs09Sb01材料的研讨.pdfVIP

在GaAs 衬底上LP-MOCVD 外延InAs0.9Sb0.1 材料的研究 1, 2 1 1 1, 2 1 1 谢建春 缪国庆 金亿鑫 张铁民 宋 航 蒋 红 1 1 刘乃康 李志明 (1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，激发态物理重点实验室，长春 130033； 2 中国科学院研究生院，北京 100039 ） 摘 要：利用LP-MOCVD 技术，在（100）GaAs 单晶衬底上生长了InAs0.9Sb0. 1 材料。用X 射线单晶衍射、光学 显微镜和扫描电镜等方法对材料进行了表征。分析了外延层生长温度和缓冲层对表面形貌的影响，并且研究了生长 温度与生长速率的关系，在生长温度范围内探讨其可能的生长机制。实验获得了表面平整光亮的InAs0.9Sb0.1 材料