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专用集成电路CAD ASIC-Application Specific Integrated Circuit §1. IC 分类 按工艺分类 双极（Bipolar）、MOS、BiMOS 按功能分类 模拟（Analog）、数字（Digital）、数模混合(Mix) 按用途分类 通用（Universal）、专用（ASIC） 按设计方式分类 半定制（Semi-Custom）、全定制（ Full-Custom ） 工艺 双极(BJT)：多子器件，电流大，驱动大； MOS：少子器件，面积小，速度快； BiMOS：速度和功率的平衡； DMOS：双扩散MOS，高压大功率； BCD：现在流行的工艺。 模拟集成电路设计特点 模拟IC的应用环境难以容忍由于工艺影响造成的电气参数的离散性，在电路设计常采用负反馈技术来保证电气性能指标的一致性。 在基本放大电路中多采用漂移小、对称性好的差分放大器和有源负载放大器。 电路设计和版图设计配合实施匹配性设计。 偏置电路不用电阻而用温度补偿效果较好的恒压源、恒流源。 设计中尽量多用一些有源器件而少用电阻或者用有源器件代替无源器件。 采用比例电阻，不用绝对值设计，二极管用三极管实现。 数字IC的设计 1975年，美国首先使用了门阵列设计和制造技术，至今数字IC的CAD工具比较完善。 将模型建立在门级，允许模拟的规模很大。 V