浙 江 理 工 大 学 二O一二年硕士学位研究生招生入学考试试题半导体物理.docVIP

浙 江 理 工 大 学 二O一二年硕士学位研究生招生入学考试试题 考试科目： 半导体物理 代码： 928 （请考生在答题纸上答题，在此试题纸上答题无效） 不定项选择题 （30分，3分*10） 具有闪锌矿结构的半导体材料为（ ） A、Si B、Ge C、GaAs D、ZnO 高纯度半导体就是（ ） A、对光透明的宽禁带半导体 B、电阻率很高的补偿半导体 C、温度很低的半导体 D、杂质、缺陷浓度很低的半导体 那些跃迁可能导致半导体发光（ ） A、本征跃迁 B、带-杂质能级间辐射 C、施主-受主对 D、激子复合 利用吸收光谱可以获得半导体材料的那些信息（ ） A、跃迁机制 B、禁带宽度 C、声子能量 D、杂质能级 PP+和NN+结为浅结，它们常用于（ ） A、小信号整流 B、欧姆接触 C、可变电容 D、稳压二极管 测知某半导体的霍尔系数随温度升高由正值变为零然后变为负值，则该半导体可能是（ ） A、纯净半导体 B、p型半导体 C、n型半导体 D、以上三种都可能 光电导指（ ） A、光在介质传播时的电导 B、光在半导体材料中的传播速度 C、光照引起的电导率变化 D、光照产生激子引起的电导率增加 非平衡载流子就是（ ） A、处于导带还未与价带空穴复合的电子 B、不稳定的电子空穴对 C、不停运动着的载流子 D、偏离热平衡状态的载流子 pn结击穿指（ ） A、反向电压随电流增加迅速增加 B、正向电流随反向电压增加迅速增加 C、正向电压随电流增加迅速增加 D、反向电流随反向电压增加迅速增加 有关隧道二极管的正向I-V特性及其应用正确的是（ ） A、I-V特性基本与普通pn结相同 B、I-V曲线上存在一个负阻区 C、可以做整流二极管用 D、可用于高频振荡 名词解释（45分，9分*5） 硅的晶体结构，给出其晶体结构简图 半导体的直接能带结构与间接能带结构 简并半导体 有效质量的物理意义 霍尔效应及其主要应用 问答题（10分*4） 金属与n型半导体接触的能带结构图（假设金属的功函数大于半导体的功函数，在图中标出势垒、费米能级、导带及价带 半导体中载流子的主要散射机构及其与温度的关系 非简并半导体中电阻率随温度的变化趋势并解释原因 p-n结击穿的概念，击穿机制的种类及不同击穿机制的原理。 计算题（35分） 在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度ND=1015/cm3，受主杂质浓度NA= 设室温下本征硅材料的电阻率ρ?cm, 假设电子和空穴的迁移率分别为(n=1350 cm2/(V.S), (500 cm2/(V.S)，不考虑杂质浓度对迁移率的影响，求掺杂样品的电导率。(n=1000 cm2/(V.S), (p=400 cm2/(V.S)。（20分） 第 1 页 ，共 3 页