LEC技术生长3inch掺Si+GaAs单晶的研究.pdfVIP

功能材料与器件学报 VD.-I.6N20.0.40 盘2000B,】粼期 JOURNALOFFUNCTIONALM.4TERIAISANDDEVICES 文章编号:1007一4252(2000)04一0312一04 LEC技术生长3inch掺SiGaAs单晶的研究 赖占平，齐德格，高瑞良，杜庚娜，刘晏凤，周春锋，高峰 (信息产业部电子第四十六研究所，天津300220) 摘要:采用高压LEC工艺生长3inch掺SiGaAs单晶，掺杂浓度大于1xloll/cm，晶 体位错密度小于Ix10/c耐。实验发现，采用PBN蜡塌和使用水含量较高的氧化硼 做覆盖剂，固液交界面处均会产生浮渣，造成无法引晶。而实际掺杂童应为理论计算 值的4倍以上。 关键词二GaAs;单晶;掺杂;LEC 中图分类号:0782 文献标识码;A 1 引言 GaAs材料的二个主要应用领域是微波器件和光电器件，相对应的传统GaAs晶体生长工 艺也有二个:液封切克劳斯基工艺(LEC)和水平布里奇曼工艺(HB)。由于二种生长工艺本身 的差别，LEG单晶和HB单晶的位错密度相差较大，通常LEGGaAs晶体位错密度小于lx 105/cm,，而HBGaAs单晶的位错密度一般可小于5x10/cm，甚至小于1x10/cmz，直至无 位错(500/cm)。由于光电器件为少子器件，而缺陷可加速少数载流子复合，进而影响发光 效率，所以人们长期以来主要利用位错密度较低的HBGaAs材料作为光电器件衬底,LEC单 晶则在多子器件的微波领域有着广泛的应用。但HB单晶外形为“D”形，与器件工艺不配套， 割成圆片，损失较大;再有HB晶体的直径放大有一定困难，与器件工艺逐步大尺寸化，降低成 本的趋势不相符;还有，HB单晶100方向生长难度较大，一般进行111方向生长，再斜 切成100晶片，这样，由于杂质分凝的影响，整个晶片的杂质分布及电学性能偏差较大。显 然若能使用LECGaAs材料作为光电器件衬底，则可避免以上影响。实验发现，对于不同的光 电器件，对衬底的位错密度要求是不同的。对干大功率激光器(LD)来说，尽可能低乃至无位 错的衬底是必要的，而对于一般发光管(LED)而言，GaAs衬底的位错密度只要小于1x10/ 。扩，则不会对发光效率产生大的影响，是可用的。即使以提供光电器件用低位错GaAs材料 著称的美国AXT公司，其提供做LED的衬底，位错密度也是小于1x1少/C扩，而这样一个指 标对于LECGaAs单晶是有可能实现的。 通常LEC工艺生长微波器件用的GaAs衬底，是非掺杂的半绝缘材料，光电器件用衬底， 则需掺杂。掺杂至少有二个目的，一是提供光电器件直接在衬底上做欧姆接触所需的高浓度， 收稿日期:2000-07-24;修订日期:200(〕一。8-30 作者简介赖占平(1964一)，男，硕士高级工程师 4期 赖占平等:LEC技术生长31脱h掺51心aAs单晶的研究 二是通过杂质硬化起到降低位错的作用。在目前光电器件衬底采用较多的。型GaAs材料 里，常规的掺杂元素为介和5石。陇C工艺，掺杂Te相对较容易，而掺杂51难度大一些，但实 验发现，Te的杂质硬化效果比51小得多，掺TeLECGAas单晶的位错密度与非掺杂单晶接近， 3inch单晶做到小于1、104/cmZ难度很大，所以我们选择了ELCCAas晶体的51掺杂进行研 究。 飞 三 2 实验 实验在Mdbuom高压单晶炉中进行。将51和99.9999%纯度的Ga和A、直接放在柑祸 中原位合成后进行单晶生长.投料量约为3.Zkg，籽晶方向100》。增锅分别试用了石英柑 涡和裂解氮化硼(PBN)增锅，晶体生长结束后，头尾切割进行电学参数和EPD的测试。 3 讨论 3.1 增塌对ELC掺siCaAs晶体生长的影响 在LEC工艺的早期，人们采用石英增涡进行CAas晶体的生长，随着PBN柑飒的发明和 质量的日益提高，近年来在生长半绝缘GAas晶体时已逐步取代石英增祸。采用FBN柑祸的 优点主要有2个:一是杜绝了来自柑祸的51污染，因此非掺杂即可获得半绝缘性能。二是层 状生长的BN的固有热导率性质可以使热场的调节更为方便，晶体的等径控制更容易这一点 特别在晶体的尾部体现得更为充分。采用PBN增祸目前基本可将全