快速热处理对重掺犃狊硅单晶中氧沉淀的影响.PDFVIP

第 卷 增刊 半 导 体 学 报 ２７ 犞狅犾．２７ 犛狌 犾犲犿犲狀狋 　 　 　 　 　 　 狆狆 年 月 ， ２００６ １２ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犇犲犮．２００６ 快速热处理对重掺 硅单晶中氧沉淀的影响 犃狊  孙世龙 刘彩池 郝秋艳 滕晓云 赵丽伟 赵彦桥 王立建 石义情 　 　 　 　 　 　 　 （河北工业大学信息功能材料研究所，天津 ３００１３０） 　 摘要：对重掺 硅片进行快速热处理，发现重掺 硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度 犃狊 犃狊 有很大的关系 随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长，氧沉淀的密度增大 最后对影响 ． ． 的机理进行了讨论． 关键词：重掺 硅片；快速热处理；氧沉淀；清洁区 犃狊 ： ； ； 犘犃犆犆 ６１７０犑 ６１７０犅 ６１７０ 中图分类号： ＋ 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３０４１２ 犃 ０２５３００１６５０４ 　　　 　　　 本文利用快速热处理代替传统的三步退火的第 １ 引言 一步高温退火，从快速热处理的时间、快速热处理的 　 温度和降温速度三个方面研究了快速热处理对重掺 随着集成电路设计线宽的不断减小，硅单晶中 犃狊硅片中氧沉淀的影响，并对其影响的机理进行了 原生缺陷以及器件工艺中引入的重金属杂质对器件 讨论． 的性能有着致命的影响 很多研究者对硅片中的原 ． ［ ］ １ ３ 生缺陷进行了广泛的研究 ～ ，认为 和 实验 犆犗犘狊 犉犘犇狊 ２ 　 是空洞型微缺陷，可以利用不同条件下的热处理消 除它们 器件工艺中引入的金属杂质一般利用高 实验中使用的重掺 硅片初始氧含量为 ．  犃狊 ２４～ 低 高三步退火吸除，但是由于这种退火的时间长， ，晶向为〈 〉，电阻率为 · 