光电子技术与现代生活-6-1-光电传感器应用.pptVIP

主要内容 第一部分 光源 第二部分 光电效应 第三部分 光电器件 第四部分 新型光电传感器 第五部分 光电传感器的应用 一、光源 6、光电池 硒光电池的光谱特性 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 100 80 60 40 20 0 电压源：将光量转变为电动势 硒光电池 硅光电池 硒光电池的结构 （1）硒光电池 硒光电池的 伏安特性 （2）硅光电池 硅光电池的结构 硅光电池的光谱特性 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 100 80 60 40 20 0 硅光电池的伏安特性 硅光电池的光照特性 0 2000 4000 6000 8000 10000 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 100 80 60 40 20 三、新型光电传感器 1、光位置传感器 光位置传感器的结构 线阵光位置传感器 * * 同学们好！ x1 光源 光通路 光电器件 测量电路 光量 光量 电量 x2 输出 X1——被测量直接引起光源光量的变化 X2——被测量在光传播过程中调制光量 对光量的调制方法： 光电式传感器应用简介 1、常用光源 常用光源 发光器件 物体辐射光 白炽光源 气体放电光源 发光二极管 激光器 GaP、SiC可见光LED GaAs红外LED 650 nm LD 2、半导体激光二极管 带尾纤大功率LD 1.55 um LD模块 808 nm 大功率LD —— 不同频率或波长的光具有不同的能量 二、光电效应 波动性：以光速运动，干涉、衍射 粒子性：具有一定的质量和能量的粒子 光——以光速运动的粒子流 波粒二象性 金属 金属氧化物 半导体 光照 电子 —— 光电效应是光电传感器的基本转换原理 光照 半导体 电子在物体内部运动 内光电效应 金属 金属氧化物 光照 电子逸出物体表面 外光电效应 1、定义及分类 —— 只有当入射光能量大于电子逸出功时， 才能产生光电子，红限频率 —— 光电流与入射光强成正比 —— 光电子逸出物体表面具有初始动能，负截止电压 —— 从光照至发射电子，时间 10-9 s 2、外光电效应 电子吸收光子能量 克服物质的束缚，电子逸出功 转化为逸出电子的动能 3、内光电效应 光生电子-空穴对 光电导效应 光生伏特效应 载流子数目增多、电导率变大 条件：入射光能量大于半导体材料的禁带宽度 4、光电导效应 —— 对于每种半导体材料存在一个入射光的波长限 —— 入射光光强愈强，电导率愈大 —— 入射光波长 —— 禁带宽度 光照下，使半导体产生一定方向电动势的现象。 4、光生伏特效应 三、光电器件 1、光电管 光谱特性：工作电压不变，入射光波长与灵敏度（量子效率）的关系 光谱特性取决于阴极材料，不同阴极材料的光电管其灵敏度分布不同 0.2 0.4 0.6 25 20 15 10 5 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 伏安特性：一定光通量照射下，光电管阳极与阴极间的电压与电流的关系。 光照特性：光电管工作电压一定时，入射光通量与光电流的关系 20 40 60 80 100 120 4 3 2 1 0 0.5 1 1.5 2.0 2.5 80 60 40 20 0 国产光电管的技术参数 2、光电倍增管 光电倍增极：12 - 14级 ? 灵敏度高 光电管：0.1 lm 光通量 5 uA 光电流 光电倍增管： 0.0001 lm 光通量 1000 uA 光电流 光电倍增系数 250 500 750 1000