4-5第三章-溅射镀膜-第1-2节.pptVIP

溅射的基本原理——溅射镀膜过程 例题：Ar+离子溅射铜靶，已知 （0℃，133Pa） 求溅射离子的平均自由程？ 解：代入公式 溅射镀膜的气体压力一般为101-10-1Pa，其平均自由程为1-10cm，因此，靶和基片的距离与溅射粒子的平均自由程大致相当。 溅射粒子到达基片时的能量相当与蒸发原子的几十至上百倍。 溅射的基本原理——溅射镀膜过程 溅射粒子的成膜过程 成膜机理将在薄膜物理部分讲，这里介绍几个相关问题。 （1）淀积速率 定义：淀积速率 是指从靶材上溅射出来的物质，在单位时间内淀积到基片上的薄膜厚度。 式中， 是与溅射装置有关的特征常数， 是离子电流， 是溅射率。 溅射的基本原理——溅射镀膜过程 （2）淀积薄膜的纯度 纯度——杂质——残余气体 基本关系： 设真空室体积 ，残余气体分压 ，氩气分压 ，残余气体量 ，氩气量 ，则有 提高纯度——降低残余气体压力——提高真空度、增加氩气量。 溅射的基本原理——溅射镀膜过程 （3）淀积过程中的污染 系统内部表面吸附的气体、水汽和二氧化碳； 扩散