氮化铝陶瓷的烧结简介及调控..docxVIP

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氮化铝陶瓷的烧结简介及调控.

目录摘 要2ABSTR?ACT3第一章:绪论41.1 氮化铝陶瓷?的基本性质?41.2 氮化铝陶瓷?的导热机理?71.2.1 氮化铝热导?率的影响因?素81.2.2获得高热?导率氮化铝?陶瓷的方法?101.3 氮化铝陶瓷?的制备工艺?111.3.1 氮化铝粉末?的制备及方?法111.3.2 氮化铝坯体?的成型131.3.3 氮化铝陶瓷?的烧结151.4 氮化铝陶瓷?的应用和发?展171.4.1 氮化铝陶瓷?的应用171.4.2 氮化铝陶瓷?的发展181.5 本文的研究?方向19第二章:实验212.1 实验原料及?仪器设备212.1.1 原料212.1.2 仪器设备212.2 实验步骤222.3 氮化铝陶瓷?的性能测试?232.3.1 体积密度测?试232.3.2 XRD测试?232.3.3 导热性能测?试242.3.4 介电性能测?试242.3.5微观结构?分析24第三章:实验数据处?理分析253.1 烧结助剂对?氮化铝陶瓷?体积密度的?影响263.1.1 GaF2- Sm2O3?体系的烧结?助剂对氮化?铝体密度的?影响263.1.2 GaF2- Nd2O3?体系复合烧?结助剂对氮?化铝体密度?的影响283.2 保温时间对?氮化铝陶瓷?性能的影响?283.2.1 保温时间对?氮化铝陶瓷?致密度的影?响283.2.2 保温时间对?氮化铝陶瓷?介电性能的?影响30第四章 总结与展望?334.1 总结334.2 展望33致 谢34参考文献35附 录38摘 要AlN陶瓷?以其高的热?导率、低的介电常?数、与硅相匹配?的热膨胀系?数等优点,在模块电路?、可控硅整流?器、大功率晶体?管、大功率集成?电路等电子?器件上的应?用日益广泛?。然而AlN?共价性强,烧结非常困?难,通常使用稀?土金属氧化?物和碱土金?属氧化物添?加剂形成液?相来促进烧?结。本文研究了?添加不同复?合烧结助剂?氮化铝陶瓷?低温常压烧?结工艺。详细研究了?所添加的复?合烧结助剂?和保温时间?对AlN陶?瓷性能的影?响。本文研究了?常压下的烧?结工艺和不?同复合助剂?对AlN陶?瓷性能的影?响。以高氮化铝?粉体作为原?料,采用Nd2?O3、CaO、Y2O3、CaF2、Li2O、LiYO2?、Sm2O3?为烧结助剂?,样品经先干?压再等静压?成型,在氮气气氛?保护下,经1600?℃温度下烧结?,并设定了2?h、4h、6h、8h不同的?保温时间,获得了氮化?铝陶瓷样品?。测定了试样?的收缩率、体积密度、介电常数等?性能;通过扫描电?镜观察了试?样的微观形?貌。结果表明,添加复合烧?结助剂中,加入CaF?2-Y2O3均?有助于氮化?铝陶瓷的致?密化,能得到晶粒?细小、均匀的氮化?铝陶瓷。添加3.53%Y2O3-0.5%CaF2-0.47%Li2O,在1600?℃保温6小时?,得到收缩率?为18.6%,体密度为3?.2499 g/cm3的氮?化铝样品。关键词:氮化铝陶瓷? 烧结助剂 常压烧结ABSTR?ACTAlumi?num nitri?de is being? used more widel?y in elect?ronic? devic?e for modul?e circu?it、silic?on contr?olled? recti?fier、high power? trans?istor? and high power? integ?rated? circu?it becau?se of its high therm?al condu?ctivi?ty, low diele?ctric? const?ant and therm?al expan?sion coeff?icien?t close? to that of silic?on .Howev?er, A1N is diffi?cult to sinte?r due to its high coval?ent bondi?ng. For full densi?ficat?ion, rare-earth? and/or alkal?ine earth? oxide?s are often? added? as sinte?ring aids in the fabri?catio?n of A1N ceram?ics. In this thesi?s, the proce?ss of fabri?catio?n and sinte?r AlN bulks? in the Atmos?pheri?c press?ure and its compo?und addit?ives syste?m was studi?ed.This paper? studi?es the alumi?num nitri?de c

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